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STL4N80K5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL4N80K5
Bestellnummer2807274
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,753 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
2.259,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL4N80K5
Bestellnummer2807274
ProduktpaletteMDmesh K5
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.5ohm
Bauform - TransistorPowerFLAT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung38W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh K5
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STL4N80K5 is a very high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. applications include switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) x area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge, 100% avalanche tested, Zener protected
- 800V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 2.5ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 1.5A, TC = 25°C)
- 2.5A maximum source-drain current (TC = 25°C)
- 3 to 5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 100µA, TC = 25°C)
- 175pF typical input capacitance (VDS = 100V, f = 1MHz, VGS = 0, TC = 25°C)
- 20pF typical output capacitance (VDS = 100V, f = 1MHz, VGS = 0, TC = 25°C)
- 10.5nC typical total gate charge (VDD = 640V, ID = 3A, VGS = 10V)
- PowerFLAT™ package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
PowerFLAT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
38W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
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