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DTDG14GPDHZGT100
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 60 V, 1 A, 13 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,920 € |
| 10+ | 0,574 € |
| 100+ | 0,392 € |
| 500+ | 0,309 € |
| 1000+ | 0,257 € |
| 5000+ | 0,207 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerDTDG14GPDHZGT100
Bestellnummer4758534
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.60V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom1A
Basis-Eingangswiderstand R1-
Basis-Emitter-Widerstand R213kohm
Bauform - TransistorSOT-89
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung2W
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.300hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
-
Bauform - Transistor
SOT-89
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
60V
Dauerkollektorstrom
1A
Basis-Emitter-Widerstand R2
13kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
2W
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
300hFE
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000055
Produktnachverfolgung