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SBCP56-16T1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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| 500+ | 0,184 € |
| 1500+ | 0,117 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSBCP56-16T1G
Bestellnummer2845330RL
ProduktpaletteBCP56
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung1.5W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz130MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.25hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCP56
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
25hFE
Produktpalette
BCP56
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
1.5W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
130MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung