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HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNHDTA123JTR
Bestellnummer3526165
ProduktpaletteNHDTA123JT Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,190 € |
10+ | 0,115 € |
100+ | 0,0714 € |
500+ | 0,0482 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNHDTA123JTR
Bestellnummer3526165
ProduktpaletteNHDTA123JT Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.80V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R247kohm
Bauform - TransistorTO-236AB
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
ProduktpaletteNHDTA123JT Series
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
80V
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
TO-236AB
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
NHDTA123JT Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
47kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
250mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000024
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