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IRFB3607PBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB3607PBF
Bestellnummer1602227
Auch bekannt alsSP001551746
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,510 € |
| 10+ | 0,751 € |
| 100+ | 0,675 € |
| 500+ | 0,541 € |
| 1000+ | 0,495 € |
| 5000+ | 0,437 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB3607PBF
Bestellnummer1602227
Auch bekannt alsSP001551746
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.009ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung140W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFB3607PBF handelt es sich um einen einfachen 75V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst geringen Durchgangswiderstand (RDS(on)) pro Siliziumfläche sowie eine hohe Schaltfrequenz dank der Trench-MOSFET-Technologie bietet. Der Baustein ist für die Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, High-Speed-Leistungsschaltern, hartschaltenden Schaltungen und Hochfrequenzschaltungen geeignet.
- Verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbessertes dV/dt- und dI/dt-Verhalten der Body-Diode
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
140W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.009ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFB3607PBF
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002795
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