IRF9Z34NPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,140 € |
| 10+ | 1,130 € |
| 100+ | 0,415 € |
| 500+ | 0,336 € |
| 1000+ | 0,316 € |
| 5000+ | 0,312 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF9Z34NPBF handelt es sich um einen einfachen -55V-p-Kanal-HEXFET®-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design, für das die HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt sind, entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein zum Einsatz in zahlreichen Anwendungen. Dieses Gehäuse wird universell empfohlen für alle gewerblich-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen von etwa 50W.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
- Betriebstemperatur: 175°C
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
p-Kanal
17A
TO-220AB
10V
56W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.1ohm
Durchsteckmontage
4V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat