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IRF9540NLPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9540NLPBF
Bestellnummer1298540
Auch bekannt alsSP001575378
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9540NLPBF
Bestellnummer1298540
Auch bekannt alsSP001575378
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.117ohm
Bauform - TransistorTO-262
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung3.1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Alternativen für IRF9540NLPBF
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
IRF9540NLPBF ist ein einfacher p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie und bietet eine hohe Schaltfrequenz sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit. Durch Kombination dieser Merkmale ist dieser FET ein sehr effizienter und zuverlässiger Baustein für einen breiten Anwendungsbereich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
23A
Bauform - Transistor
TO-262
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.117ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004763