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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7313TRPBFXTMA1
Bestellnummer4236345
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP005876276
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,120 € |
10+ | 0,704 € |
100+ | 0,466 € |
500+ | 0,366 € |
1000+ | 0,327 € |
5000+ | 0,275 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7313TRPBFXTMA1
Bestellnummer4236345
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP005876276
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.023ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorSO-8
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.023ohm
Bauform - Transistor
SO-8
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung