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IRF7103TRPBF
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7103TRPBF
Bestellnummer2467996
Auch bekannt alsSP001562004
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,611 € |
| 50+ | 0,604 € |
| 250+ | 0,465 € |
| 1000+ | 0,357 € |
| 2000+ | 0,345 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7103TRPBF
Bestellnummer2467996
Auch bekannt alsSP001562004
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal50V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.11ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.11ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für IRF7103TRPBF
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
IRF7103TRPBF ist ein zweifacher n-Kanal-MOSFET, der für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt ist. Das Gehäuse wurde modifiziert durch einen benutzerdefinierten Leiterrahmen für ein verbessertes Wärmeverhalten und Dual-Die-Funktionalität, wodurch sich der Baustein hervorragend in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung verwendet werden mit deutlich weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- SMD-Baustein
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Hohe Schaltfrequenz
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.11ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.11ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00031
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