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IRF6717MTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 2,800 € |
| 50+ | 1,970 € |
| 250+ | 1,600 € |
| 1000+ | 1,300 € |
| 2000+ | 1,270 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF6717MTRPBF
Bestellnummer2781114
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001525458
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand950µohm
Bauform - TransistorDirectFET MX
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung96W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
38A
Bauform - Transistor
DirectFET MX
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
96W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
950µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung