IRF640NSTRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
1.600 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,240 € |
| 50+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,875 € |
| 250+ | 0,858 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF640NSTRLPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der 5. Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Dieses Gehäuse wird universell empfohlen für alle gewerblich-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen von etwa 50W.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Antriebsanforderungen
Anwendungen
Gewerbe, Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
18A
TO-263AB
10V
150W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
200V
0.15ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat