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IRF6215STRLPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF6215STRLPBF
Bestellnummer4319097
ProduktpaletteHEXFET Series
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF6215STRLPBF
Bestellnummer4319097
ProduktpaletteHEXFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.29ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.29ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001