IRF530NSTRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,200 € |
| 10+ | 0,937 € |
| 100+ | 0,667 € |
| 500+ | 0,584 € |
| 1000+ | 0,464 € |
| 5000+ | 0,458 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF530NSTRLPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein zum Einsatz in zahlreichen Anwendungen. Das SMD-Gehäuse kann Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand aller bestehenden SMD-Gehäuse. Es eignet sich für Hochstromanwendungen, da es einen niedrigen internen Anschlusswiderstand und eine Verlustleistung von bis zu 2W in einer typischen SMD-Anwendung aufweist.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Hohe Schaltfrequenz
- Vollständig Avalanche-fähig
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
17A
TO-263 (D2PAK)
10V
70W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.09ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRF530NSTRLPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat