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IRF4905STRLPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF4905STRLPBF
Bestellnummer1298511
Auch bekannt alsSP001559632
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,230 € |
| 10+ | 2,240 € |
| 100+ | 1,570 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1000+ | 1,120 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF4905STRLPBF
Bestellnummer1298511
Auch bekannt alsSP001559632
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung200W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF4905STRLPBF handelt es sich um einen einfachen -55V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche sowie eine hohe Schaltfrequenz unter Verwendung fortschrittlicher Planar-Technologie bietet. So entsteht ein zuverlässiger Baustein mit sehr hohem Wirkungsgrad zur Verwendung in zahlreichen Anwendungen.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Betriebstemperatur: 175°C
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
74A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
200W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143