Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,840 € |
10+ | 1,540 € |
100+ | 1,110 € |
500+ | 0,867 € |
1000+ | 0,802 € |
5000+ | 0,693 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF2807PBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der moderne Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Dieses Gehäuse wird universell empfohlen für alle gewerblich-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen von etwa 50W.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
Anwendungen
Gewerbe, Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
71A
TO-220AB
10V
150W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
75V
0.013ohm
Durchsteckmontage
4V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat