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IRF1010NSTRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,260 € |
| 10+ | 0,982 € |
| 100+ | 0,858 € |
| 500+ | 0,845 € |
| 1000+ | 0,693 € |
| 5000+ | 0,679 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF1010NSTRLPBF
Bestellnummer2725879
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001571236
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id85A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung180W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
85A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
180W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung