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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 3,900 € |
10+ | 3,010 € |
25+ | 2,690 € |
50+ | 2,610 € |
100+ | 2,530 € |
250+ | 2,490 € |
500+ | 2,480 € |
1000+ | 2,470 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IR2113SPBF ist ein High-Speed-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf High- und Low-Side referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietäre HVIC- und Latch-beständige CMOS-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Konstruktion. Die Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Pegeln ab 3.3V. Der Ausgangstreiber verfügt über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, um das Übersprechen des Treibers zu minimieren. Die Laufzeiten sind abgestimmt für die Verwendung in Hochfrequenzanwendungen. Der potentialfreie Kanal lässt sich zur Ansteuerung eines n-Kanal Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration nutzen, die mit bis zu 500 oder 600V arbeitet.
- Tolerant gegenüber negativen Spannungstransienten, dV/dt-Festigkeit
- Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
- CMOS-Eingänge mit Schmitt-Trigger und Pull-Down
- Abschaltlogik mit zyklusweiser Flankentriggerung
- Abgestimmte Laufzeiten für beide Kanäle
- Ausgänge phasengleich mit Eingängen
Anwendungen
Industrie, Unterhaltungselektronik, Alternative Energien, Power-Management
Technische Spezifikationen
2Kanäle
High-Side und Low-Side
16Pin(s)
Oberflächenmontage
2A
10V
-40°C
120ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
SOIC
Nicht invertierend
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat