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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 2,460 € |
10+ | 2,050 € |
25+ | 1,890 € |
50+ | 1,830 € |
100+ | 1,780 € |
250+ | 1,770 € |
500+ | 1,760 € |
1000+ | 1,750 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IR2010SPBF ist ein leistungsstarker High-Speed-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf High- und Low-Side referenzierten Ausgangskanälen. Die Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Pegeln ab 3V. Der Ausgangstreiber verfügt über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, um das Übersprechen des Treibers zu minimieren. Die Laufzeiten sind abgestimmt für die Verwendung in Hochfrequenzanwendungen. Der potentialfreie Kanal lässt sich zur Ansteuerung eines n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBT in der High-Side-Konfiguration nutzen, die mit bis zu 200V arbeitet. Die proprietäre HVIC- und Latch-beständige CMOS-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Konstruktion.
- Erdfreier Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb
- Tolerant gegenüber negativen Spannungstransienten (dV/dt-immun)
- Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
- Kompatibel mit 3.3V-Logik
- Logik- und Stromversorgungsmasse: ± 5V Offset
- CMOS-Eingänge mit Schmitt-Trigger und Pull-Down
- Durch Ausschalten des Eingangs werden beide Kanäle ausgeschaltet
- Logik zur Verhinderung von Übersprechen
- Abgestimmte Laufzeiten für beide Kanäle
- Ausgänge phasengleich mit Eingängen
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
2Kanäle
High-Side und Low-Side
16Pin(s)
Oberflächenmontage
3A
10V
-40°C
95ns
-
MSL 3 - 168 Stunden
-
MOSFET
SOIC
Nicht invertierend
3A
20V
125°C
65ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat