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FF23MR12W1M1B11BOMA1 - 

MOSFET-Transistor, EasyDual-Modul, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, 4.5 V

FF23MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET-Transistor, EasyDual-Modul, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, 4.5 V

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Bestellnummer:
2771413
Produktsortiment
CoolSic Series
Auch bekannt als:
FF23MR12W1M1_B11, SP001602224
Technisches Datenblatt:
FF23MR12W1M1B11BOMA1   Datasheet
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

The CoolSiC™ MOSFET from Infineon is a leading edge solution to bring designs towards new unattainable efficiency and power density levels. In comparison to traditional Si based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers advantages such as lowest gate charge and device capacitances levels seen in 1200V switches, no reverse recovery losses of internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses and threshold-free on-state characteristics. The TO-247-4 pin package of CoolSiC™ MOSFET contains an additional connection to the source that is used as a reference potential for the gate driving voltage, thereby eliminating the effect of voltage drops over the source inductance. The result is even lower switching losses than for TO247-3 pin version, especially at higher currents and higher switching frequencies. Easy1B modules(EasyDUAL™) offer a very good thermal interface, a low stray inductance and robust design as well as PressFIT c
  • CoolSiC™ are first products targeted for photovoltaic inverters, battery charging, energy storage
  • Superior gate oxide reliability
  • Best in class switching and conduction losses
  • IGBT compatible driving (+15V), threshold voltage of Vth = 4V, Short-circuit robustness
  • Efficiency improvement and reduced cooling effort
  • Significant reduction in junction temperature for longer lifetime and higher reliability
  • Enables higher frequency operation for reduction in system cost and shrink
  • 2 level topologies can replace 3-level with same efficiency for lower complexity and cost
  • Allows for increase in power density, ease of design and implementation
  • Excellent for hard switching and resonant switching topologies like LLC and ZVS

Anwendungen

Power-Management, Industrie

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab

Produktspezifikationen

:
n-Kanal
:
50A
:
1.2kV
:
0.023ohm
:
-
:
4.5V
:
20mW
:
150°C
:
CoolSic Series
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