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DMN63D8LDW-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN63D8LDW-7
Bestellnummer2543518RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal260mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal2.8ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal400mW
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected gate
- Fast switching speed, small surface mount package
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 220mA at TA = +25°C, VGS = 10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 300mW at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 2.8ohm max at VGS = 10.0V, ID = 250mA, TA = +25°C
- SOT363 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
2.8ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
400mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000318