VISHAY Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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IRF740LCPBF
IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

8648476

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

VISHAY

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n-Kanal n-Kanal 10A 400V 0.55ohm 0.55ohm 10V 4V Durchsteckmontage 125W TO-220AB 3Pin(s) 125W 150°C - -
BU2006-E3/45
BU2006-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.05 V

1815622

Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.05 V

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- - - - - - - - - - - 4Pin(s) - 150°C - BU200
VS-40HF40
VS-40HF40 - Diodenmodul, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin(s)

365646

Diodenmodul, 400 V, 40 A, 1.3 V, DO-5, 2 Pin(s)

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- - - - - - - - - - - 2Pin(s) - 190°C - VS-40
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage

2283639

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage

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n-Kanal n-Kanal 7A 600V 0.5ohm 0.5ohm 10V 2V Durchsteckmontage 78W TO-251 3Pin(s) 78W 150°C - E
VS-60APU04-N3
VS-60APU04-N3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 60 A, Einfach, 1.25 V, 85 ns, 600 A

2690140

Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 60 A, Einfach, 1.25 V, 85 ns, 600 A

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- - - - - - - - - - - 3Pin(s) - 175°C - -
SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm

2802799

Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm

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n-Kanal + Schottky n-Kanal + Schottky 60A 30V 0.0022ohm - 10V 2.2V Oberflächenmontage 32.9W PowerPAIR 8Pin(s) - 150°C - TrenchFET Series
IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

2547298

Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

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p-Kanal p-Kanal 18A 50V 0.093ohm 0.093ohm 10V 4V Durchsteckmontage 74W TO-220AB 3Pin(s) 74W 150°C - -
VS-30CTQ060-1-M3
VS-30CTQ060-1-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-262AA, 3 Pin(s), 820 mV

2901064

Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-262AA, 3 Pin(s), 820 mV

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- - - - - - - - - - - 3Pin(s) - 150°C - -
SB150-E3/54
SB150-E3/54 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, DO-204AL, 2 Pin(s), 650 mV

2889212

Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, DO-204AL, 2 Pin(s), 650 mV

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- - - - - - - - - - - 2Pin(s) - 150°C - -
RMB4S-E3/45
RMB4S-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1.25 V

1336504

Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, TO-269AA, 4 Pin(s), 1.25 V

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- - - - - - - - - - - 4Pin(s) - 150°C - RMB4S
IRL520PBF
IRL520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

9102744

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

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1+ 1,53 € 1,82 € 10+ 1,17 € 1,39 € 100+ 0,946 € 1,13 € 500+ 0,782 € 0,93 € 1000+ 0,575 € 0,68 € 3000+ 0,56 € 0,67 € 5000+ 0,546 € 0,65 € 10000+ 0,541 € 0,64 € Weitere Preise …

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n-Kanal n-Kanal 9.2A 100V 0.27ohm 0.27ohm 5V 2V Durchsteckmontage 60W TO-220AB 3Pin(s) 60W 175°C - -
UF5407-E3/73
UF5407-E3/73 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 150 A

9551727

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 150 A

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1+ 0,66 € 0,79 € 10+ 0,553 € 0,66 € 100+ 0,364 € 0,43 € 500+ 0,359 € 0,43 € 1000+ 0,354 € 0,42 € 3000+ 0,349 € 0,42 € 5000+ 0,344 € 0,41 € 10000+ 0,339 € 0,40 € Weitere Preise …

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- - - - - - - - - - - - - 150°C - UF540
SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage

1859001

Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage

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1+ 0,81 € 0,96 € 10+ 0,727 € 0,87 € 100+ 0,568 € 0,68 € 500+ 0,469 € 0,56 € 1000+ 0,405 € 0,48 € 3000+ 0,397 € 0,47 € 6000+ 0,389 € 0,46 € Weitere Preise …

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p-Kanal p-Kanal 25A 20V 0.0082ohm 0.0082ohm 4.5V 400mV Oberflächenmontage 33W PowerPAK 1212 8Pin(s) 33W 150°C - -
IRFD220PBF
IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage

9102388

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage

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1+ 1,20 € 1,43 € 10+ 1,08 € 1,29 € 100+ 0,842 € 1,00 € 500+ 0,695 € 0,83 € 1000+ 0,549 € 0,65 € 2500+ 0,512 € 0,61 € 5000+ 0,486 € 0,58 € 10000+ 0,467 € 0,56 € Weitere Preise …

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n-Kanal n-Kanal 1.3A 200V 0.8ohm 0.8ohm 10V 4V Durchsteckmontage 1W DIP 4Pin(s) 1W 150°C - -
IRFR210PBF
IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

8649685

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

VISHAY

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1+ 0,945 € 1,12 € 10+ 0,776 € 0,92 € 100+ 0,654 € 0,78 € 500+ 0,548 € 0,65 € 1000+ 0,421 € 0,50 € 3000+ 0,413 € 0,49 € 6000+ 0,404 € 0,48 € 12000+ 0,396 € 0,47 € Weitere Preise …

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n-Kanal n-Kanal 2.6A 200V 1.5ohm 1.5ohm 10V 4V Oberflächenmontage 25W TO-252 (DPAK) 3Pin(s) 25W 150°C - -
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm

2335337

Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm

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1+ 1,12 € 1,33 € 10+ 0,963 € 1,15 € 100+ 0,782 € 0,93 € 500+ 0,646 € 0,77 € 1000+ 0,51 € 0,61 € 3000+ 0,492 € 0,59 € 6000+ 0,482 € 0,57 € Weitere Preise …

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n-Kanal n-Kanal 4.4A 20V 0.032ohm - 4.5V 1V Oberflächenmontage 1.1W ChipFET 8Pin(s) - 150°C - -
GBU4J-E3/51
GBU4J-E3/51 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V

9549455

Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V

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1+ 1,58 € 1,88 € 10+ 0,963 € 1,15 € 250+ 0,876 € 1,04 € 500+ 0,789 € 0,94 € 1000+ 0,71 € 0,84 € 2500+ 0,658 € 0,78 € 5000+ 0,645 € 0,77 € Weitere Preise …

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- - - - - - - - - - - 4Pin(s) - 150°C - GBU4J
ES07B-GS18
ES07B-GS18 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.2 A, 980 mV, 25 ns, 30 A

1612357

Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.2 A, 980 mV, 25 ns, 30 A

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- - - - - - - - - - - 2Pin(s) - 150°C AEC-Q101 ES07B
VB30100S-E3/8W
VB30100S-E3/8W - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV

2335180

Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 910 mV

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- - - - - - - - - - - 3Pin(s) - 150°C - Trench MOS Series
S07J-GS08
S07J-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, Schaltrelais, 600 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A

1617736

Diode mit Standard-Erholzeit, Schaltrelais, 600 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A

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- - - - - - - - - - - 2Pin(s) - 150°C AEC-Q101 S07J
IRFU220PBF
IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage

8650039

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage

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n-Kanal n-Kanal 4.8A 200V 0.8ohm 0.8ohm 10V 4V Durchsteckmontage 42W TO-251AA 3Pin(s) 42W 150°C - -
SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage

2364082

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage

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n-Kanal n-Kanal 29A 600V 0.104ohm 0.104ohm 10V 2V Durchsteckmontage 250W TO-247AC 3Pin(s) 250W 150°C - -
SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.00425 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

2283684

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.00425 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage

VISHAY

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n-Kanal n-Kanal 20A 30V 0.00425ohm 0.00425ohm 10V 1.1V Oberflächenmontage 31.2W PowerPAK SO 8Pin(s) 31.2W 150°C - -
SQD30N05-20L_GE3
SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

1869909

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

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n-Kanal n-Kanal 30A 55V 0.016ohm 0.016ohm 10V 2V Oberflächenmontage - TO-252 (DPAK) 3Pin(s) - 175°C AEC-Q101 -
VS-3EJH02HM3/6B
VS-3EJH02HM3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A

2471187

Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A

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- - - - - - - - - - - - - 175°C AEC-Q101 FRED Pt® SlimSMA