STMICROELECTRONICS Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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  Hersteller-Teilenr. Bestellnummer Hersteller / Beschreibung
Verfüg Preiseinheit:
 Preis
 Menge
 Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Schwellenspannung Vgs Verlustleistung Pd Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
 Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
STP24N60DM2
STP24N60DM2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

2807289

Data Sheet
RoHS

STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 18A
Drain-Source-Spannung Vds 600V

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STMICROELECTRONICS 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

+ Lageraufstockung

35 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 04.03.19

Data Sheet
RoHS
Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 18A
Drain-Source-Spannung Vds 600V
Betriebswiderstand, Rds(on) 0.175ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
Schwellenspannung Vgs 4V
Verlustleistung Pd 150W
Bauform - Transistor TO-220AB
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette FDmesh II Plus Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

35

1+ 3,83 € Preiseinheit: 10+ 2,90 € Preiseinheit: 100+ 2,51 € Preiseinheit: 250+ 2,39 € Preiseinheit: 500+ 2,14 € Preiseinheit: 1000+ 1,81 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge
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Stück

1+ 3,83 €   10+ 2,90 €   100+ 2,51 €   250+ 2,39 €   500+ 2,14 €   1000+ 1,81 €   Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 1 Mult: 1
n-Kanal 18A 600V 0.175ohm 10V 4V 150W TO-220AB 3Pin(s) 150°C FDmesh II Plus Series -
STGYA120M65DF2AG
STGYA120M65DF2AG - IGBT-Einzeltransistor, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)

2729674

Data Sheet
RoHS

STMICROELECTRONICS - IGBT-Einzeltransistor, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)

Verlustleistung Pd 625W
Bauform - Transistor MAX-247
Anzahl der Pins 3Pin(s)

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STMICROELECTRONICS 

IGBT-Einzeltransistor, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

15 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

69 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 100 versandfertig ab 07.02.19
    • Wieder verfügbar ab 25.02.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 625W
    Bauform - Transistor MAX-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette M Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    84

    1+ 9,85 € Preiseinheit: 5+ 9,20 € Preiseinheit: 10+ 8,11 € Preiseinheit: 50+ 7,63 € Preiseinheit: 100+ 7,14 € Preiseinheit: 250+ 5,82 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück

    1+ 9,85 €   5+ 9,20 €   10+ 8,11 €   50+ 7,63 €   100+ 7,14 €   250+ 5,82 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    		- - - - - - 625W MAX-247 3Pin(s) 175°C M Series AEC-Q101
    STD7N60M2
    STD7N60M2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

    2629757

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

    + Lageraufstockung

    1.663 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 29.07.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.86ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 60W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MDmesh II Plus Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.663

    5+ 1,48 € Preiseinheit: 25+ 1,22 € Preiseinheit: 100+ 0,963 € Preiseinheit: 250+ 0,854 € Preiseinheit: 500+ 0,745 € Preiseinheit: 1000+ 0,446 € Preiseinheit: 5000+ 0,437 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2629757
    2629757RL in Re-Reel

    5+ 1,48 €   25+ 1,22 €   100+ 0,963 €   250+ 0,854 €   500+ 0,745 €   1000+ 0,446 €   5000+ 0,437 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    		n-Kanal 5A 600V 0.86ohm 10V 3V 60W TO-252 3Pin(s) 150°C MDmesh II Plus Series -
    STP28N60M2
    STP28N60M2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 22 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

    2807292

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 22 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 22A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 22 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

    + Lageraufstockung

    162 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 04.03.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 22A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.135ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 170W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MDmesh M2 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    162

    1+ 3,58 € Preiseinheit: 10+ 2,72 € Preiseinheit: 100+ 2,68 € Preiseinheit: 250+ 2,54 € Preiseinheit: 500+ 2,27 € Preiseinheit: 1000+ 1,99 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück

    1+ 3,58 €   10+ 2,72 €   100+ 2,68 €   250+ 2,54 €   500+ 2,27 €   1000+ 1,99 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    		n-Kanal 22A 600V 0.135ohm 10V 3V 170W TO-220AB 3Pin(s) 150°C MDmesh M2 Series -
    STQ2HNK60ZR-AP
    STQ2HNK60ZR-AP - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

    2807309

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 500mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

    + Lageraufstockung

    1.720 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 18.03.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 500mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 4.4ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 3W
    Bauform - Transistor TO-92
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette SuperMESH Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.720

    5+ 0,628 € Preiseinheit: 25+ 0,574 € Preiseinheit: 100+ 0,36 € Preiseinheit: 250+ 0,321 € Preiseinheit: 500+ 0,282 € Preiseinheit: 1000+ 0,243 € Preiseinheit: 5000+ 0,234 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück

    5+ 0,628 €   25+ 0,574 €   100+ 0,36 €   250+ 0,321 €   500+ 0,282 €   1000+ 0,243 €   5000+ 0,234 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    		n-Kanal 500mA 600V 4.4ohm 10V 3.75V 3W TO-92 3Pin(s) 150°C SuperMESH Series -
    STB10NK60ZT4
    STB10NK60ZT4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

    1751968

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 4.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

    + Lageraufstockung

    75 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 28.10.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 4.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.65ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 115W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    75

    5+ 2,32 € Preiseinheit: 25+ 1,96 € Preiseinheit: 100+ 1,74 € Preiseinheit: 250+ 1,71 € Preiseinheit: 500+ 1,55 € Preiseinheit: 1000+ 1,11 € Preiseinheit: 5000+ 0,662 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück

    5+ 2,32 €   25+ 1,96 €   100+ 1,74 €   250+ 1,71 €   500+ 1,55 €   1000+ 1,11 €   5000+ 0,662 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    		n-Kanal 4.5A 600V 0.65ohm 10V 3.75V 115W TO-263 3Pin(s) 150°C - -
    STP36NF06L
    STP36NF06L - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

    9935614

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

    + Lageraufstockung

    245 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    2.178 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 1.000 versandfertig ab 03.05.19
  • 1.000 versandfertig ab 22.03.19
  • 1.000 versandfertig ab 24.05.19
  • 2.000 versandfertig ab 04.10.19
    • Wieder verfügbar ab 28.10.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.032ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2.5V
    Verlustleistung Pd 70W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    2.423

    5+ 1,15 € Preiseinheit: 25+ 0,736 € Preiseinheit: 100+ 0,647 € Preiseinheit: 250+ 0,574 € Preiseinheit: 500+ 0,528 € Preiseinheit: 1000+ 0,495 € Preiseinheit: 5000+ 0,485 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen
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    Stück

    5+ 1,15 €   25+ 0,736 €   100+ 0,647 €   250+ 0,574 €   500+ 0,528 €   1000+ 0,495 €   5000+ 0,485 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    		n-Kanal 30A 60V 0.032ohm 10V 2.5V 70W TO-220 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    STB6NK60ZT4
    STB6NK60ZT4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

    1752006

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    Close

    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

    + Lageraufstockung

    4.713 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 28.10.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 110W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.713

    5+ 1,71 € Preiseinheit: 25+ 1,59 € Preiseinheit: 100+ 1,28 € Preiseinheit: 250+ 1,20 € Preiseinheit: 500+ 1,11 € Preiseinheit: 1000+ 0,853 € Preiseinheit: 5000+ 0,827 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Kaufen

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1752006
    1752006RL in Re-Reel

    5+ 1,71 €   25+ 1,59 €   100+ 1,28 €   250+ 1,20 €   500+ 1,11 €   1000+ 0,853 €   5000+ 0,827 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    		n-Kanal 3A 600V 1ohm 10V 3.75V 110W TO-263 3Pin(s) 150°C - -
    STGP10NB60S
    STGP10NB60S - IGBT-Einzeltransistor, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

    2341719

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - IGBT-Einzeltransistor, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 80W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

    + Alle Produktinformationen anzeigen

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    STMICROELECTRONICS 

    IGBT-Einzeltransistor, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

    + Lageraufstockung

    138 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 28.10.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 80W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    138

    5+ 1,84 € Preiseinheit: 25+ 1,69 € Preiseinheit: 100+ 1,35 € Preiseinheit:

    Menge
    Kaufen

    Stück

    5+ 1,84 €   25+ 1,69 €   100+ 1,35 €  

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    Min: 5 Mult: 5
    		- - - - - - 80W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    STD7N60M2
    STD7N60M2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

    2629757RL

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

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    1.663 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.86ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 60W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MDmesh II Plus Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.663

    10+ 1,48 € Preiseinheit: 25+ 1,22 € Preiseinheit: 100+ 0,963 € Preiseinheit: 250+ 0,854 € Preiseinheit: 500+ 0,745 € Preiseinheit: 1000+ 0,446 € Preiseinheit: 5000+ 0,437 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 5A 600V 0.86ohm 10V 3V 60W TO-252 3Pin(s) 150°C MDmesh II Plus Series -
    STGWA40M120DF3
    STGWA40M120DF3 - IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

    2470029

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    STMICROELECTRONICS - IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 468W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    STMICROELECTRONICS 

    IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

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    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 468W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    14

    1+ 9,97 € Preiseinheit: 5+ 9,34 € Preiseinheit: 10+ 8,05 € Preiseinheit: 50+ 7,50 € Preiseinheit: 100+ 7,00 € Preiseinheit: 250+ 6,05 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		- - - - - - 468W TO-247 3Pin(s) 175°C - -
    STW35N60DM2
    STW35N60DM2 - MOSFET-Transistor, Mdmesh DM2, n-Kanal, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V

    2531118

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, Mdmesh DM2, n-Kanal, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 28A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, Mdmesh DM2, n-Kanal, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 28A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.094ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 210W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    26

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    		n-Kanal 28A 600V 0.094ohm 10V 4V 210W TO-247 3Pin(s) 150°C - -
    STP120NF10
    STP120NF10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

    1611428

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 110A
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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 110A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.009ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 312W
    Bauform - Transistor TO-220
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    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette STP Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    1+ 2,77 € Preiseinheit: 10+ 1,97 € Preiseinheit: 100+ 1,91 € Preiseinheit: 250+ 1,83 € Preiseinheit: 500+ 1,74 € Preiseinheit: 1000+ 1,46 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 110A 100V 0.009ohm 10V 4V 312W TO-220 3Pin(s) 175°C STP Series -
    STF100N10F7
    STF100N10F7 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 45 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V

    2807196

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 45 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 45A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 45 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 45A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0068ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4.5V
    Verlustleistung Pd 30W
    Bauform - Transistor TO-220FP
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette DeepGATE STripFET VII Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    686

    1+ 1,94 € Preiseinheit: 10+ 1,54 € Preiseinheit: 100+ 1,23 € Preiseinheit: 250+ 1,19 € Preiseinheit: 500+ 1,14 € Preiseinheit: 1000+ 0,946 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 45A 100V 0.0068ohm 10V 4.5V 30W TO-220FP 3Pin(s) 175°C DeepGATE STripFET VII Series -
    STW25NM60ND
    STW25NM60ND - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

    2098388

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 21A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 21A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.13ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 160W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    1+ 7,90 € Preiseinheit: 10+ 6,01 € Preiseinheit: 100+ 5,44 € Preiseinheit: 250+ 5,20 € Preiseinheit: 500+ 4,75 € Preiseinheit: 1000+ 4,66 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 21A 600V 0.13ohm 10V 4V 160W TO-247 3Pin(s) 150°C - -
    STS1NK60Z
    STS1NK60Z - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 250 mA, 600 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V

    2807310

    Data Sheet
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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 250 mA, 600 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 250mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 250 mA, 600 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V

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    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 250mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 13ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 2W
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 8Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette SuperMESH Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.640

    5+ 0,577 € Preiseinheit: 25+ 0,53 € Preiseinheit: 100+ 0,33 € Preiseinheit: 250+ 0,295 € Preiseinheit: 500+ 0,259 € Preiseinheit: 1000+ 0,224 € Preiseinheit: 5000+ 0,215 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5+ 0,577 €   25+ 0,53 €   100+ 0,33 €   250+ 0,295 €   500+ 0,259 €   1000+ 0,224 €   5000+ 0,215 €   Weitere Preise …

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    		n-Kanal 250mA 600V 13ohm 10V 3.75V 2W SOIC 8Pin(s) 150°C SuperMESH Series -
    STP34NM60ND
    STP34NM60ND - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

    2098318

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 29A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 29A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.097ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 210W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5

    1+ 8,56 € Preiseinheit: 5+ 7,90 € Preiseinheit: 10+ 6,81 € Preiseinheit: 50+ 6,37 € Preiseinheit: 100+ 5,91 € Preiseinheit: 250+ 4,48 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 29A 600V 0.097ohm 10V 4V 210W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    STP5NK60Z
    STP5NK60Z - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

    2098330

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1.2ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 90W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    210

    5+ 0,791 € Preiseinheit: 25+ 0,672 € Preiseinheit: 100+ 0,66 € Preiseinheit: 250+ 0,65 € Preiseinheit: 500+ 0,637 € Preiseinheit: 1000+ 0,623 € Preiseinheit: 5000+ 0,611 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5+ 0,791 €   25+ 0,672 €   100+ 0,66 €   250+ 0,65 €   500+ 0,637 €   1000+ 0,623 €   5000+ 0,611 €   Weitere Preise …

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    		n-Kanal 5A 600V 1.2ohm 10V 3.75V 90W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    BTA06-600TWRG
    BTA06-600TWRG - Triac, 600 V, 6 A, TO-220AB, 5 mA, 1.5 V, 1 W

    1057267

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - Triac, 600 V, 6 A, TO-220AB, 5 mA, 1.5 V, 1 W

    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C

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    STMICROELECTRONICS 

    Triac, 600 V, 6 A, TO-220AB, 5 mA, 1.5 V, 1 W

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    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.047

    5+ 1,12 € Preiseinheit: 25+ 0,834 € Preiseinheit: 100+ 0,724 € Preiseinheit: 250+ 0,694 € Preiseinheit: 500+ 0,685 € Preiseinheit: 1000+ 0,542 € Preiseinheit: 5000+ 0,531 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		- - - - - - - - 3Pin(s) 125°C - -
    STTH102A
    STTH102A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 40 A

    9907874

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 40 A

    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette STTH1 Series

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    STMICROELECTRONICS 

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 40 A

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    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins -
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette STTH1 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    13.772

    5+ 0,262 € Preiseinheit: 25+ 0,188 € Preiseinheit: 100+ 0,133 € Preiseinheit: 250+ 0,124 € Preiseinheit: 500+ 0,115 € Preiseinheit: 1000+ 0,0989 € Preiseinheit: 5000+ 0,0959 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		- - - - - - - - - 175°C STTH1 Series -
    STB6NK60ZT4
    STB6NK60ZT4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

    1752006RL

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3.75V
    Verlustleistung Pd 110W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.713

    10+ 1,71 € Preiseinheit: 25+ 1,59 € Preiseinheit: 100+ 1,28 € Preiseinheit: 250+ 1,20 € Preiseinheit: 500+ 1,11 € Preiseinheit: 1000+ 0,853 € Preiseinheit: 5000+ 0,827 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 3A 600V 1ohm 10V 3.75V 110W TO-263 3Pin(s) 150°C - -
    STP30NF10
    STP30NF10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.045 ohm, 10 V, 3 V

    9946403

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.045 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 35A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.045 ohm, 10 V, 3 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 35A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.045ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 115W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    466

    5+ 1,28 € Preiseinheit: 25+ 1,03 € Preiseinheit: 100+ 0,792 € Preiseinheit: 250+ 0,745 € Preiseinheit: 500+ 0,698 € Preiseinheit: 1000+ 0,625 € Preiseinheit: 5000+ 0,613 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		n-Kanal 35A 100V 0.045ohm 10V 3V 115W TO-220 3Pin(s) 175°C - -
    STGD6NC60HDT4
    STGD6NC60HDT4 - IGBT-Einzeltransistor, 15 A, 1.9 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pin(s)

    2849653

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - IGBT-Einzeltransistor, 15 A, 1.9 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 56W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    STMICROELECTRONICS 

    IGBT-Einzeltransistor, 15 A, 1.9 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pin(s)

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    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 56W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette PowerMESH Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    755

    5+ 1,20 € Preiseinheit: 25+ 1,09 € Preiseinheit: 100+ 0,854 € Preiseinheit: 250+ 0,78 € Preiseinheit: 500+ 0,706 € Preiseinheit: 1000+ 0,505 € Preiseinheit: 5000+ 0,48 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Empfohlener Ersatz für:2849653
    2849653RL in Re-Reel

    5+ 1,20 €   25+ 1,09 €   100+ 0,854 €   250+ 0,78 €   500+ 0,706 €   1000+ 0,505 €   5000+ 0,48 €   Weitere Preise …

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    		- - - - - - 56W TO-252 3Pin(s) 150°C PowerMESH Series -
    BTA08-800BWRG
    BTA08-800BWRG - Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 50 mA, 1.2 V, 1 W

    2849627

    Data Sheet
    RoHS

    STMICROELECTRONICS - Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 50 mA, 1.2 V, 1 W

    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette Snubberless BTA08 Series

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    STMICROELECTRONICS 

    Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 50 mA, 1.2 V, 1 W

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    235 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wieder verfügbar ab 25.02.19

    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette Snubberless BTA08 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    978

    5+ 0,969 € Preiseinheit: 25+ 0,899 € Preiseinheit: 100+ 0,795 € Preiseinheit: 250+ 0,792 € Preiseinheit: 500+ 0,788 € Preiseinheit: 1000+ 0,608 € Preiseinheit: 5000+ 0,585 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    		- - - - - - - - 3Pin(s) 125°C Snubberless BTA08 Series -
    STFH24N60M2
    STFH24N60M2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

    2602656

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    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

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    506 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Data Sheet
    RoHS
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.168ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 30W
    Bauform - Transistor TO-220FP
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MDmesh, M2 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    506

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    1+ 2,70 €   10+ 1,74 €   100+ 1,65 €   250+ 1,55 €   500+ 1,35 €   1000+ 1,29 €   Weitere Preise …

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    		n-Kanal 18A 600V 0.168ohm 10V 3V 30W TO-220FP 3Pin(s) 150°C MDmesh, M2 Series -

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