ON SEMICONDUCTOR Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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  Hersteller-Teilenr. Bestellnummer Hersteller / Beschreibung
Verfüg Preiseinheit:
Preis
Menge
Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Schwellenspannung Vgs Verlustleistung Pd Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

2829468

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 5.5A
Drain-Source-Spannung Vds 600V

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

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2.415 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 22.07.19

Data Sheet
RoHS
Gurtabschnitte
Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 5.5A
Drain-Source-Spannung Vds 600V
Betriebswiderstand, Rds(on) 1.05ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
Schwellenspannung Vgs 5V
Verlustleistung Pd 90W
Bauform - Transistor TO-251AA
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette UniFET II Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

2.415

5+ 1,15 € Preiseinheit: 25+ 1,04 € Preiseinheit: 100+ 0,797 € Preiseinheit: 250+ 0,751 € Preiseinheit: 500+ 0,705 € Preiseinheit: 1000+ 0,556 € Preiseinheit: 5000+ 0,545 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück (Gurtabschnitt)

Gurtabschnitte
Verpackungsoptionen
Empfohlener Ersatz für:2829468
2829468RL in Re-Reel

5+ 1,15 €   25+ 1,04 €   100+ 0,797 €   250+ 0,751 €   500+ 0,705 €   1000+ 0,556 €   5000+ 0,545 €   Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 5 Mult: 5
n-Kanal 5.5A 600V 1.05ohm 10V 5V 90W TO-251AA 3Pin(s) 150°C UniFET II Series -
FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

2829468RL

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 5.5A
Drain-Source-Spannung Vds 600V

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

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2.415 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 22.07.19

Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 5.5A
Drain-Source-Spannung Vds 600V
Betriebswiderstand, Rds(on) 1.05ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
Schwellenspannung Vgs 5V
Verlustleistung Pd 90W
Bauform - Transistor TO-251AA
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette UniFET II Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

2.415

10+ 1,15 € Preiseinheit: 25+ 1,04 € Preiseinheit: 100+ 0,797 € Preiseinheit: 250+ 0,751 € Preiseinheit: 500+ 0,705 € Preiseinheit: 1000+ 0,556 € Preiseinheit: 5000+ 0,545 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

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Re-Reel
Verpackungsoptionen
Empfohlener Ersatz für:2829468RL
2829468 in Gurtabschnitte
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

5+ 1,15 €   25+ 1,04 €   100+ 0,797 €   250+ 0,751 €   500+ 0,705 €   1000+ 0,556 €   5000+ 0,545 €   Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 10 Mult: 5
n-Kanal 5.5A 600V 1.05ohm 10V 5V 90W TO-251AA 3Pin(s) 150°C UniFET II Series -
MMSZ4699T1G
MMSZ4699T1G - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

1651593

ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

Verlustleistung Pd 500mW
Anzahl der Pins 2Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C

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ON SEMICONDUCTOR 

Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

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335 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 10.250 versandfertig ab 07.03.19
  • 9.000 versandfertig ab 19.07.19
  • 9.000 versandfertig ab 27.09.19
  • 9.000 versandfertig ab 01.12.19
  • 63.000 versandfertig ab 04.12.19
  • 21.000 versandfertig ab 25.12.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 500mW
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MMSZ4xxxT1G Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    335

    5+ 0,158 € Preiseinheit: 50+ 0,149 € Preiseinheit: 100+ 0,0632 € Preiseinheit: 500+ 0,0394 € Preiseinheit: 1500+ 0,0354 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1651593
    1651593RL in Re-Reel
    2441464 in Reel

    5+ 0,158 €   50+ 0,149 €   100+ 0,0632 €   500+ 0,0394 €   1500+ 0,0354 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 500mW - 2Pin(s) 150°C MMSZ4xxxT1G Series AEC-Q101
    BSS138LT3G
    BSS138LT3G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    2101819

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 200mA
    Drain-Source-Spannung Vds 50V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    + Lageraufstockung

    15.651 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    123.603 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 10.000 versandfertig ab 31.07.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 200mA
    Drain-Source-Spannung Vds 50V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 5.6ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 2.75V
    Schwellenspannung Vgs 500mV
    Verlustleistung Pd 225mW
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    139.254

    5+ 0,266 € Preiseinheit: 25+ 0,256 € Preiseinheit: 100+ 0,103 € Preiseinheit: 250+ 0,0968 € Preiseinheit: 500+ 0,0747 € Preiseinheit: 1000+ 0,0525 € Preiseinheit: 5000+ 0,0443 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück

    5+ 0,266 €   25+ 0,256 €   100+ 0,103 €   250+ 0,0968 €   500+ 0,0747 €   1000+ 0,0525 €   5000+ 0,0443 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 200mA 50V 5.6ohm 2.75V 500mV 225mW SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    NTMFS6B03NT1G
    NTMFS6B03NT1G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

    2473415RL

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 132A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

    + Lageraufstockung

    82 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    5.750 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 02.12.19

    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 132A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0038ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 165W
    Bauform - Transistor DFN
    Anzahl der Pins 5Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.832

    10+ 4,93 € Preiseinheit: 100+ 4,26 € Preiseinheit: 250+ 4,05 € Preiseinheit: 500+ 3,64 € Preiseinheit: 1000+ 2,91 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2473415RL
    2473415 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    1+ 6,36 €   10+ 4,93 €   100+ 4,26 €   250+ 4,05 €   500+ 3,64 €   1000+ 2,91 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal 132A 100V 0.0038ohm 10V 4V 165W DFN 5Pin(s) 150°C - -
    MBRM140T1G
    MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    1459067

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRM1 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    + Lageraufstockung

    6.405 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    18.120 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 6.000 versandfertig ab 28.06.19
  • 9.000 versandfertig ab 03.07.19
  • 3.000 versandfertig ab 08.08.19
  • 6.000 versandfertig ab 02.10.19
  • 144.000 versandfertig ab 16.10.19
  • 15.000 versandfertig ab 31.10.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRM1 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    24.525

    5+ 0,266 € Preiseinheit: 50+ 0,244 € Preiseinheit: 100+ 0,132 € Preiseinheit: 500+ 0,095 € Preiseinheit: 1500+ 0,0913 € Preiseinheit:

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1459067
    1459067RL in Re-Reel
    2317660 in Reel

    5+ 0,266 €   50+ 0,244 €   100+ 0,132 €   500+ 0,095 €   1500+ 0,0913 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 125°C MBRM1 Series AEC-Q101
    NTD2955T4G
    NTD2955T4G - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

    2317614

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

    + Lageraufstockung

    3.575 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    19.402 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 18.03.19

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.155ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -2.8V
    Verlustleistung Pd 55W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    22.977

    5+ 0,715 € Preiseinheit: 25+ 0,646 € Preiseinheit: 100+ 0,411 € Preiseinheit: 250+ 0,366 € Preiseinheit: 500+ 0,322 € Preiseinheit: 1000+ 0,277 € Preiseinheit: 5000+ 0,268 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück

    5+ 0,715 €   25+ 0,646 €   100+ 0,411 €   250+ 0,366 €   500+ 0,322 €   1000+ 0,277 €   5000+ 0,268 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    p-Kanal 12A -60V 0.155ohm -10V -2.8V 55W TO-252 4Pin(s) 175°C - -
    MMBT5551LT1G
    MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

    1459109

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 160V
    Verlustleistung Pd 225mW

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

    + Lageraufstockung

    9.875 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    25.610 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 12.000 versandfertig ab 20.03.19
  • 12.000 versandfertig ab 19.06.19
  • 12.000 versandfertig ab 26.06.19
  • Wieder verfügbar ab 21.10.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 160V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 225mW
    DC-Kollektorstrom 600mA
    DC-Stromverstärkung hFE 80hFE
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MMBTxxxx Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    35.485

    5+ 0,179 € Preiseinheit: 50+ 0,17 € Preiseinheit: 100+ 0,0612 € Preiseinheit: 500+ 0,0374 € Preiseinheit: 1500+ 0,0329 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1459109
    1459109RL in Re-Reel
    2317831 in Reel

    5+ 0,179 €   50+ 0,17 €   100+ 0,0612 €   500+ 0,0374 €   1500+ 0,0329 €  

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 225mW SOT-23 3Pin(s) 150°C MMBTxxxx Series AEC-Q101
    MBRS2040LT3G
    MBRS2040LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

    1459072

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRS2 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

    + Lageraufstockung

    4.155 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    26.204 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 7.500 versandfertig ab 01.02.19
  • 2.500 versandfertig ab 03.07.19
  • Wieder verfügbar ab 12.08.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRS2 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    30.359

    5+ 0,287 € Preiseinheit: 50+ 0,262 € Preiseinheit: 100+ 0,14 € Preiseinheit: 500+ 0,136 € Preiseinheit: 1000+ 0,102 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

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    - - - - - - - - 2Pin(s) 125°C MBRS2 Series AEC-Q101
    NTR4003NT3G
    NTR4003NT3G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 560 mA, 30 V, 1.5 ohm, 4 V, 800 mV

    2101820

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 560 mA, 30 V, 1.5 ohm, 4 V, 800 mV

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 560mA
    Drain-Source-Spannung Vds 30V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 560 mA, 30 V, 1.5 ohm, 4 V, 800 mV

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    Wieder verfügbar ab 15.04.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 560mA
    Drain-Source-Spannung Vds 30V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1.5ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 4V
    Schwellenspannung Vgs 800mV
    Verlustleistung Pd 830mW
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    7.192

    5+ 0,191 € Preiseinheit: 25+ 0,186 € Preiseinheit: 100+ 0,076 € Preiseinheit: 250+ 0,0697 € Preiseinheit: 500+ 0,0536 € Preiseinheit: 1000+ 0,0374 € Preiseinheit: 5000+ 0,0302 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

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    n-Kanal 560mA 30V 1.5ohm 4V 800mV 830mW SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    FDS86140
    FDS86140 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

    2083336

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 11.2A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 11.2A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0081ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2.7V
    Verlustleistung Pd 5W
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 8Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.230

    5+ 1,47 € Preiseinheit: 25+ 1,35 € Preiseinheit: 100+ 1,08 € Preiseinheit: 250+ 1,01 € Preiseinheit: 500+ 0,943 € Preiseinheit: 1000+ 0,727 € Preiseinheit: 5000+ 0,712 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

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    5+ 1,47 €   25+ 1,35 €   100+ 1,08 €   250+ 1,01 €   500+ 0,943 €   1000+ 0,727 €   5000+ 0,712 €   Weitere Preise …

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    n-Kanal 11.2A 100V 0.0081ohm 10V 2.7V 5W SOIC 8Pin(s) 150°C - -
    KSP44TA
    KSP44TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE

    1095133

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE

    DC-Kollektorstrom 300mA
    Verlustleistung Pd 625mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 50 hFE

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    DC-Kollektorstrom 300mA
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) -
    Verlustleistung Pd 625mW

    7.890

    5+ 0,277 € Preiseinheit: 25+ 0,267 € Preiseinheit: 100+ 0,118 € Preiseinheit: 250+ 0,112 € Preiseinheit: 500+ 0,093 € Preiseinheit: 1000+ 0,0738 € Preiseinheit: 5000+ 0,0624 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:1095133
    1095133RL in Re-Reel

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    NPN - - - - - 625mW TO-92 3Pin(s) 150°C - -
    FDD86102LZ
    FDD86102LZ - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

    2083235

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 42A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 V

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    Wieder verfügbar ab 18.11.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 42A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0178ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.5V
    Verlustleistung Pd 54W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.985

    5+ 0,864 € Preiseinheit: 25+ 0,774 € Preiseinheit: 100+ 0,594 € Preiseinheit: 250+ 0,56 € Preiseinheit: 500+ 0,525 € Preiseinheit: 1000+ 0,414 € Preiseinheit: 5000+ 0,406 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,864 €   25+ 0,774 €   100+ 0,594 €   250+ 0,56 €   500+ 0,525 €   1000+ 0,414 €   5000+ 0,406 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 42A 100V 0.0178ohm 10V 1.5V 54W TO-252 3Pin(s) 150°C - -
    NTD5867NLT4G
    NTD5867NLT4G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

    1879964

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

    Verlustleistung Pd 36W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

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    Data Sheet
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    Gurtabschnitte
    DC-Kollektorstrom -
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) -
    Verlustleistung Pd 36W

    5.166

    5+ 0,483 € Preiseinheit: 25+ 0,452 € Preiseinheit: 100+ 0,26 € Preiseinheit: 250+ 0,231 € Preiseinheit: 500+ 0,201 € Preiseinheit: 1000+ 0,171 € Preiseinheit: 5000+ 0,16 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

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    Empfohlener Ersatz für:1879964
    1879964RL in Re-Reel

    5+ 0,483 €   25+ 0,452 €   100+ 0,26 €   250+ 0,231 €   500+ 0,201 €   1000+ 0,171 €   5000+ 0,16 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 20A 60V 0.026ohm 10V 1.8V 36W TO-252 3Pin(s) 150°C - -
    MMSZ4689T1G
    MMSZ4689T1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    1459121

    ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    Verlustleistung Pd 500mW
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

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    660 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MMSZxxxT1G Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    660

    5+ 0,156 € Preiseinheit: 50+ 0,148 € Preiseinheit: 100+ 0,0626 € Preiseinheit: 500+ 0,039 € Preiseinheit: 1500+ 0,035 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1459121
    1459121RL in Re-Reel
    2336858 in Reel

    5+ 0,156 €   50+ 0,148 €   100+ 0,0626 €   500+ 0,039 €   1500+ 0,035 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 500mW - 2Pin(s) 150°C MMSZxxxT1G Series AEC-Q101
    MBR130T3G
    MBR130T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 790 mV

    1611423

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 790 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBR13 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 790 mV

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    6.735 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    12.302 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 25.02.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBR13 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    19.037

    5+ 0,291 € Preiseinheit: 25+ 0,279 € Preiseinheit: 100+ 0,122 € Preiseinheit: 250+ 0,117 € Preiseinheit: 500+ 0,0968 € Preiseinheit: 1000+ 0,0765 € Preiseinheit: 5000+ 0,0663 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 0,291 €   25+ 0,279 €   100+ 0,122 €   250+ 0,117 €   500+ 0,0968 €   1000+ 0,0765 €   5000+ 0,0663 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 125°C MBR13 Series AEC-Q101
    MBRM140T1G
    MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    1459067RL

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRM1 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

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  • 6.000 versandfertig ab 28.06.19
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  • 6.000 versandfertig ab 02.10.19
  • 144.000 versandfertig ab 16.10.19
  • 15.000 versandfertig ab 31.10.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRM1 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    24.525

    150+ 0,132 € Preiseinheit: 500+ 0,095 € Preiseinheit: 1500+ 0,0913 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1459067RL
    1459067 in Gurtabschnitte
    2317660 in Reel
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    5+ 0,266 €   50+ 0,244 €   100+ 0,132 €   500+ 0,095 €   1500+ 0,0913 €  

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    Min: 150 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 125°C MBRM1 Series AEC-Q101
    NTD3055L104T4G
    NTD3055L104T4G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V

    2317615

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V

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  • 2.500 versandfertig ab 29.05.19
  • 2.500 versandfertig ab 20.06.19
  • 5.000 versandfertig ab 12.07.19
  • Wieder verfügbar ab 09.09.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.089ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 5V
    Schwellenspannung Vgs 1.6V
    Verlustleistung Pd 48W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    446

    5+ 0,483 € Preiseinheit: 25+ 0,452 € Preiseinheit: 100+ 0,275 € Preiseinheit: 250+ 0,245 € Preiseinheit: 500+ 0,216 € Preiseinheit: 1000+ 0,186 € Preiseinheit: 5000+ 0,182 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück

    5+ 0,483 €   25+ 0,452 €   100+ 0,275 €   250+ 0,245 €   500+ 0,216 €   1000+ 0,186 €   5000+ 0,182 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 12A 60V 0.089ohm 5V 1.6V 48W TO-252 4Pin(s) 175°C - -
    PN2222ABU
    PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

    2454064

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Verlustleistung Pd 625mW
    Bauform - Transistor TO-226AA

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

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    Wandlerpolarität NPN
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 625mW
    Bauform - Transistor TO-226AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    5+ 0,198 € Preiseinheit: 25+ 0,193 € Preiseinheit: 100+ 0,0785 € Preiseinheit: 250+ 0,0721 € Preiseinheit: 500+ 0,0556 € Preiseinheit: 1000+ 0,0391 € Preiseinheit: 5000+ 0,033 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN - - - - - 625mW TO-226AA 3Pin(s) 150°C - -
    MJE13007G
    MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

    9557857

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Verlustleistung Pd 80W
    Bauform - Transistor TO-220

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    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

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    Wandlerpolarität NPN
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 80W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.872

    5+ 0,883 € Preiseinheit: 25+ 0,793 € Preiseinheit: 100+ 0,608 € Preiseinheit: 250+ 0,573 € Preiseinheit: 500+ 0,538 € Preiseinheit: 1000+ 0,376 € Preiseinheit: 5000+ 0,368 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    NPN - - - - - 80W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    MMBF170LT1G
    MMBF170LT1G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

    1431321RL

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 500mA
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 500mA
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 5ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 225mW
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    104.719

    150+ 0,0847 € Preiseinheit: 250+ 0,0783 € Preiseinheit: 500+ 0,0603 € Preiseinheit: 1000+ 0,0422 € Preiseinheit: 5000+ 0,033 € Preiseinheit:

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    Min: 150 Mult: 5
    n-Kanal 500mA 60V 5ohm 10V 3V 225mW SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    FDS86140
    FDS86140 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

    2083336RL

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 11.2A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 11.2A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0081ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2.7V
    Verlustleistung Pd 5W
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 8Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.230

    150+ 1,08 € Preiseinheit: 250+ 1,01 € Preiseinheit: 500+ 0,943 € Preiseinheit: 1000+ 0,727 € Preiseinheit: 5000+ 0,712 € Preiseinheit:

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    Min: 150 Mult: 1
    n-Kanal 11.2A 100V 0.0081ohm 10V 2.7V 5W SOIC 8Pin(s) 150°C - -
    SS12
    SS12 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 500 mV

    1467536

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 500 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette SS12 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 500 mV

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette SS12 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.647

    5+ 0,296 € Preiseinheit: 25+ 0,285 € Preiseinheit: 100+ 0,124 € Preiseinheit: 250+ 0,119 € Preiseinheit: 500+ 0,0988 € Preiseinheit: 1000+ 0,0785 € Preiseinheit: 5000+ 0,0663 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:1467536
    1467536RL in Re-Reel

    5+ 0,296 €   25+ 0,285 €   100+ 0,124 €   250+ 0,119 €   500+ 0,0988 €   1000+ 0,0785 €   5000+ 0,0663 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 125°C SS12 Series -
    MBRD835LG
    MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252, 4 Pin(s), 510 mV

    9556249

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252, 4 Pin(s), 510 mV

    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MBRD8 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252, 4 Pin(s), 510 mV

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    4.158 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    2.110 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 825 versandfertig ab 03.07.19
  • 825 versandfertig ab 22.04.19
  • 825 versandfertig ab 14.05.19
  • 1.050 versandfertig ab 05.06.19
  • 825 versandfertig ab 03.07.19
  • Wieder verfügbar ab 18.11.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MBRD8 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    6.268

    5+ 0,574 € Preiseinheit: 25+ 0,528 € Preiseinheit: 100+ 0,327 € Preiseinheit: 250+ 0,292 € Preiseinheit: 500+ 0,256 € Preiseinheit: 1000+ 0,221 € Preiseinheit: 5000+ 0,214 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    5+ 0,574 €   25+ 0,528 €   100+ 0,327 €   250+ 0,292 €   500+ 0,256 €   1000+ 0,221 €   5000+ 0,214 €   Weitere Preise …

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    - - - - - - - - 4Pin(s) 150°C MBRD8 Series -
    DF08S
    DF08S - Brückengleichrichterdiode, Eine Phase, 800 V, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)

    1700193

    ON SEMICONDUCTOR - Brückengleichrichterdiode, Eine Phase, 800 V, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)

    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette DF08S Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Brückengleichrichterdiode, Eine Phase, 800 V, 1.5 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)

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    1.847 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    3.620 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 3.000 versandfertig ab 09.03.19
  • Wieder verfügbar ab 17.06.19

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    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette DF08S Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.467

    5+ 0,476 € Preiseinheit: 25+ 0,447 € Preiseinheit: 100+ 0,271 € Preiseinheit: 250+ 0,242 € Preiseinheit: 500+ 0,213 € Preiseinheit: 1000+ 0,184 € Preiseinheit: 5000+ 0,174 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:1700193
    1700193RL in Re-Reel

    5+ 0,476 €   25+ 0,447 €   100+ 0,271 €   250+ 0,242 €   500+ 0,213 €   1000+ 0,184 €   5000+ 0,174 €   Weitere Preise …

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    - - - - - - - - 4Pin(s) 150°C DF08S Series -

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