INFINEON Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Schwellenspannung Vgs Verlustleistung Pd Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IRF2804STRL7PP
IRF2804STRL7PP - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

2725882RL

INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 160A
Drain-Source-Spannung Vds 40V

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INFINEON 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0012ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 330W
    Bauform - Transistor TO-263AB
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.548

    10+ 1,56 € Preiseinheit: 100+ 1,38 € Preiseinheit: 250+ 1,35 € Preiseinheit: 500+ 1,32 € Preiseinheit: 1000+ 1,30 € Preiseinheit:

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    2725882 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    1+ 2,03 €   10+ 1,56 €   100+ 1,38 €   250+ 1,35 €   500+ 1,32 €   1000+ 1,30 €   Weitere Preise …

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    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal 160A 40V 0.0012ohm 10V 4V 330W TO-263AB 7Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    IRF2804STRLPBF
    IRF2804STRLPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    2725883

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0015ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 300W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    148

    1+ 2,35 € Preiseinheit: 10+ 2,24 € Preiseinheit: 100+ 1,94 € Preiseinheit: 250+ 1,85 € Preiseinheit: 500+ 1,72 € Preiseinheit: 1000+ 1,59 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:2725883
    2725883RL in Re-Reel

    1+ 2,35 €   10+ 2,24 €   100+ 1,94 €   250+ 1,85 €   500+ 1,72 €   1000+ 1,59 €   Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 75A 40V 0.0015ohm 10V 4V 300W TO-263 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    IRFB3306PBF
    IRFB3306PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

    1436951

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0042ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 230W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    484

    5+ 1,41 € Preiseinheit: 25+ 1,27 € Preiseinheit: 100+ 1,03 € Preiseinheit: 250+ 0,965 € Preiseinheit: 500+ 0,90 € Preiseinheit: 1000+ 0,743 € Preiseinheit: 5000+ 0,728 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 1,41 €   25+ 1,27 €   100+ 1,03 €   250+ 0,965 €   500+ 0,90 €   1000+ 0,743 €   5000+ 0,728 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 160A 60V 0.0042ohm 10V 4V 230W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IPD50N10S3L16ATMA1
    IPD50N10S3L16ATMA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    2443397

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0125ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.7V
    Verlustleistung Pd 100W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    4.394

    5+ 1,18 € Preiseinheit: 25+ 1,08 € Preiseinheit: 100+ 0,975 € Preiseinheit:

    Menge

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:2443397
    2443397RL in Re-Reel

    5+ 1,18 €   25+ 1,08 €   100+ 0,975 €  

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 50A 100V 0.0125ohm 10V 1.7V 100W TO-252 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    BSC16DN25NS3GATMA1
    BSC16DN25NS3GATMA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V

    2480748RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 10.9A
    Drain-Source-Spannung Vds 250V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10.9 A, 250 V, 0.146 ohm, 10 V, 3 V

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    3.215 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 10.9A
    Drain-Source-Spannung Vds 250V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.146ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 62.5W
    Bauform - Transistor TDSON
    Anzahl der Pins 8Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    3.625

    10+ 1,72 € Preiseinheit: 25+ 1,60 € Preiseinheit: 100+ 1,28 € Preiseinheit: 250+ 1,14 € Preiseinheit: 500+ 0,994 € Preiseinheit: 1000+ 0,824 € Preiseinheit: 5000+ 0,717 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
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    Empfohlener Ersatz für:2480748RL
    2480748 in Gurtabschnitte
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    5+ 1,72 €   25+ 1,60 €   100+ 1,28 €   250+ 1,14 €   500+ 0,994 €   1000+ 0,824 €   5000+ 0,717 €   Weitere Preise …

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    Min: 10 Mult: 5
    n-Kanal 10.9A 250V 0.146ohm 10V 3V 62.5W TDSON 8Pin(s) 150°C - -
    IRF2804STRLPBF
    IRF2804STRLPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    2725883RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0015ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 300W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    148

    10+ 2,24 € Preiseinheit: 100+ 1,94 € Preiseinheit: 250+ 1,85 € Preiseinheit: 500+ 1,72 € Preiseinheit: 1000+ 1,59 € Preiseinheit:

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2725883RL
    2725883 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    1+ 2,35 €   10+ 2,24 €   100+ 1,94 €   250+ 1,85 €   500+ 1,72 €   1000+ 1,59 €   Weitere Preise …

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    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal 75A 40V 0.0015ohm 10V 4V 300W TO-263 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    IRG4IBC30KDPBF
    IRG4IBC30KDPBF - IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

    2580045

    INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 45W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    INFINEON 

    IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

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    183 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wieder verfügbar ab 27.01.20

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 45W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    183

    1+ 3,09 € Preiseinheit: 10+ 3,02 € Preiseinheit: 100+ 2,16 € Preiseinheit: 250+ 2,09 € Preiseinheit: 500+ 1,84 € Preiseinheit: 1000+ 1,56 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Stück

    1+ 3,09 €   10+ 3,02 €   100+ 2,16 €   250+ 2,09 €   500+ 1,84 €   1000+ 1,56 €   Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - 45W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    IRFB3307ZPBF
    IRFB3307ZPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 A, 75 V, 0.0058 ohm, 10 V, 4 V

    1436952

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 A, 75 V, 0.0058 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 120A
    Drain-Source-Spannung Vds 75V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 A, 75 V, 0.0058 ohm, 10 V, 4 V

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    45 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 400 versandfertig ab 22.03.19
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  • Wieder verfügbar ab 13.01.20

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 120A
    Drain-Source-Spannung Vds 75V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0058ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 230W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    506

    5+ 1,44 € Preiseinheit: 25+ 1,21 € Preiseinheit: 100+ 1,18 € Preiseinheit: 250+ 1,16 € Preiseinheit: 500+ 1,13 € Preiseinheit: 1000+ 0,928 € Preiseinheit: 5000+ 0,909 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück

    5+ 1,44 €   25+ 1,21 €   100+ 1,18 €   250+ 1,16 €   500+ 1,13 €   1000+ 0,928 €   5000+ 0,909 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 120A 75V 0.0058ohm 10V 4V 230W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IPD50N10S3L16ATMA1
    IPD50N10S3L16ATMA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    2443397RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

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    70 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0125ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.7V
    Verlustleistung Pd 100W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    Verpackungsoptionen
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    2443397 in Gurtabschnitte
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    5+ 1,18 €   25+ 1,08 €   100+ 0,975 €  

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    n-Kanal 50A 100V 0.0125ohm 10V 1.7V 100W TO-252 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    IRFR2405TRPBF
    IRFR2405TRPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V

    2725955RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V

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    Dauer-Drainstrom Id 56A
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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V

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    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0118ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 110W
    Bauform - Transistor TO-252AA
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    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    632

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    n-Kanal 56A 55V 0.0118ohm 10V 4V 110W TO-252AA 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    SPD18P06PGBTMA1
    SPD18P06PGBTMA1 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

    2212859

    INFINEON - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -18.6A
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    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

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    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -18.6A
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    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.1ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -3V
    Verlustleistung Pd 80W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    1.001

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    Menge

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    p-Kanal -18.6A -60V 0.1ohm -10V -3V 80W TO-252 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    IPP041N04NGXKSA1
    IPP041N04NGXKSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 80 A, 40 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

    1775620

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 80 A, 40 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 80A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 80 A, 40 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 80A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0033ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2V
    Verlustleistung Pd 94W
    Bauform - Transistor TO-220
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    790

    5+ 1,18 € Preiseinheit: 25+ 1,07 € Preiseinheit: 100+ 0,848 € Preiseinheit: 250+ 0,753 € Preiseinheit: 500+ 0,658 € Preiseinheit: 1000+ 0,519 € Preiseinheit: 5000+ 0,509 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 80A 40V 0.0033ohm 10V 2V 94W TO-220 3Pin(s) 175°C - -
    IRFR540ZTRPBF
    IRFR540ZTRPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V

    2725971

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 35A
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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V

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    RoHS
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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 35A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0225ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 91W
    Bauform - Transistor TO-252AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.303

    5+ 0,87 € Preiseinheit: 25+ 0,779 € Preiseinheit: 100+ 0,599 € Preiseinheit: 250+ 0,564 € Preiseinheit: 500+ 0,529 € Preiseinheit: 1000+ 0,418 € Preiseinheit: 5000+ 0,409 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

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    Gurtabschnitte
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    2725971RL in Re-Reel

    5+ 0,87 €   25+ 0,779 €   100+ 0,599 €   250+ 0,564 €   500+ 0,529 €   1000+ 0,418 €   5000+ 0,409 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 35A 100V 0.0225ohm 10V 4V 91W TO-252AA 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    IPA60R165CPXKSA1
    IPA60R165CPXKSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V

    2726036

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 21A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 21A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.15ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 34W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    501

    1+ 3,23 € Preiseinheit: 10+ 3,17 € Preiseinheit: 100+ 3,10 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 3,23 €   10+ 3,17 €   100+ 3,10 €  

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    n-Kanal 21A 600V 0.15ohm 10V 3V 34W TO-220 3Pin(s) 150°C - -
    BSP125H6327XTSA1
    BSP125H6327XTSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

    2480778

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 120mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 120mA
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 25ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.9V
    Verlustleistung Pd 1.8W
    Bauform - Transistor SOT-223
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    313

    5+ 0,649 € Preiseinheit: 25+ 0,489 € Preiseinheit: 100+ 0,372 € Preiseinheit: 250+ 0,315 € Preiseinheit: 500+ 0,294 € Preiseinheit: 1000+ 0,252 € Preiseinheit: 5000+ 0,247 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Gurtabschnitte
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    2480778RL in Re-Reel

    5+ 0,649 €   25+ 0,489 €   100+ 0,372 €   250+ 0,315 €   500+ 0,294 €   1000+ 0,252 €   5000+ 0,247 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 120mA 600V 25ohm 10V 1.9V 1.8W SOT-223 4Pin(s) 150°C - -
    IKW25T120FKSA1
    IKW25T120FKSA1 - IGBT-Einzeltransistor, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

    1471747

    INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 190W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    INFINEON 

    IGBT-Einzeltransistor, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)

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    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 190W
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    687

    1+ 6,19 € Preiseinheit: 10+ 4,76 € Preiseinheit: 100+ 4,46 € Preiseinheit: 250+ 4,21 € Preiseinheit: 500+ 4,09 € Preiseinheit: 1000+ 3,56 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Stück

    1+ 6,19 €   10+ 4,76 €   100+ 4,46 €   250+ 4,21 €   500+ 4,09 €   1000+ 3,56 €   Weitere Preise …

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    - - - - - - 190W TO-247 3Pin(s) 150°C - -
    IRLR2908TRPBF
    IRLR2908TRPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V

    2468056RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 80V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 V

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    125 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 80V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0225ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2.5V
    Verlustleistung Pd 120W
    Bauform - Transistor TO-252AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.927

    10+ 0,836 € Preiseinheit: 25+ 0,739 € Preiseinheit: 100+ 0,642 € Preiseinheit: 250+ 0,604 € Preiseinheit: 500+ 0,565 € Preiseinheit: 1000+ 0,487 € Preiseinheit: 5000+ 0,409 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    2468056 in Gurtabschnitte
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    Min: 10 Mult: 5
    n-Kanal 30A 80V 0.0225ohm 10V 2.5V 120W TO-252AA 3Pin(s) 175°C - -
    IRF2804PBF
    IRF2804PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 280 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V

    8657491

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 280 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 280A
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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 280 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 280A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0023ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 330W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
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    1.218

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    n-Kanal 280A 40V 0.0023ohm 10V 4V 330W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IRF6645TRPBF
    IRF6645TRPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 25 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4.9 V

    2725892RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 25 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4.9 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
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    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 25 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4.9 V

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    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.028ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4.9V
    Verlustleistung Pd 42W
    Bauform - Transistor DirectFET SJ
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

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    n-Kanal 25A 100V 0.028ohm 10V 4.9V 42W DirectFET SJ 7Pin(s) 150°C HEXFET Series -
    IRGB4620DPBF
    IRGB4620DPBF - IGBT-Einzeltransistor, 32 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

    2424454

    INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, 32 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 140W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    INFINEON 

    IGBT-Einzeltransistor, 32 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

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    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 140W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.000

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    - - - - - - 140W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IRFB3006PBF
    IRFB3006PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 270 A, 60 V, 0.0021 ohm, 20 V, 3 V

    1688594

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 270 A, 60 V, 0.0021 ohm, 20 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 270A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 270 A, 60 V, 0.0021 ohm, 20 V, 3 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 270A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0021ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 20V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 375W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    959

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    n-Kanal 270A 60V 0.0021ohm 20V 3V 375W TO-220AB 4Pin(s) 175°C - -
    IRGP4066DPBF
    IRGP4066DPBF - IGBT-Einzeltransistor, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

    1907932

    INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

    Verlustleistung Pd 454W
    Bauform - Transistor TO-247AC
    Anzahl der Pins 3Pin(s)

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    INFINEON 

    IGBT-Einzeltransistor, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

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    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 454W
    Bauform - Transistor TO-247AC
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    237

    1+ 10,44 € Preiseinheit: 5+ 9,83 € Preiseinheit: 10+ 8,46 € Preiseinheit: 50+ 7,96 € Preiseinheit: 100+ 7,64 € Preiseinheit: 250+ 6,23 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    - - - - - - 454W TO-247AC 3Pin(s) 175°C - -
    IRFB4020PBF
    IRFB4020PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.9 V

    1436954

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.9 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 200V

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.9 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 200V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.1ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4.9V
    Verlustleistung Pd 100W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    264

    5+ 1,32 € Preiseinheit: 25+ 1,05 € Preiseinheit: 100+ 0,91 € Preiseinheit: 250+ 0,855 € Preiseinheit: 500+ 0,814 € Preiseinheit: 1000+ 0,715 € Preiseinheit: 5000+ 0,615 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    n-Kanal 18A 200V 0.1ohm 10V 4.9V 100W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IRL3705ZPBF
    IRL3705ZPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 86 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V

    8659761

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 86 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 86A
    Drain-Source-Spannung Vds 55V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 86 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 86A
    Drain-Source-Spannung Vds 55V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.008ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 130W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
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    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.988

    5+ 1,02 € Preiseinheit: 25+ 0,932 € Preiseinheit: 100+ 0,847 € Preiseinheit: 250+ 0,833 € Preiseinheit: 500+ 0,819 € Preiseinheit: 1000+ 0,678 € Preiseinheit: 5000+ 0,664 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    n-Kanal 86A 55V 0.008ohm 10V 3V 130W TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    IRFB4410PBF
    IRFB4410PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 96 A, 100 V, 0.008 ohm, 20 V, 4 V

    9052046

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 96 A, 100 V, 0.008 ohm, 20 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 96A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 96 A, 100 V, 0.008 ohm, 20 V, 4 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 96A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.008ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 20V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 250W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.271

    1+ 2,07 € Preiseinheit: 10+ 1,75 € Preiseinheit: 100+ 1,46 € Preiseinheit: 250+ 1,44 € Preiseinheit: 500+ 1,29 € Preiseinheit: 1000+ 1,16 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    n-Kanal 96A 100V 0.008ohm 20V 4V 250W TO-220 3Pin(s) 175°C - -

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