IGBT-Transistor-Arrays & -Module

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Wandlerpolarität DC-Kollektorstrom Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) Verlustleistung Pd Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IXYN100N120C3H1
IXYN100N120C3H1 - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B

2674801

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B

Wandlerpolarität n-Kanal
DC-Kollektorstrom 134A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.5V

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IXYS SEMICONDUCTOR 

IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B

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6 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 10 versandfertig ab 19.04.19
  • Wieder verfügbar ab 29.07.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 134A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.5V
    Verlustleistung Pd 690W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor SOT-227B
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette XPT GenX3 Series

    6

    1+ 36,52 € Preiseinheit: 5+ 34,91 € Preiseinheit: 10+ 31,58 € Preiseinheit: 50+ 29,81 € Preiseinheit: 100+ 26,05 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 36,52 €   5+ 34,91 €   10+ 31,58 €   50+ 29,81 €   100+ 26,05 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 134A 3.5V 690W 1.2kV SOT-227B 4Pin(s) 150°C XPT GenX3 Series
    2MBI100U4A-120-50
    2MBI100U4A-120-50 - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    1689580

    FUJI ELECTRIC - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 150A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.2V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

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    180 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 30.09.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 150A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.2V
    Verlustleistung Pd 540W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor Module
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette -

    180

    1+ 76,80 € Preiseinheit: 5+ 71,66 € Preiseinheit: 10+ 66,45 € Preiseinheit: 50+ 53,68 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 76,80 €   5+ 71,66 €   10+ 66,45 €   50+ 53,68 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 150A 2.2V 540W 1.2kV Module 7Pin(s) 125°C -
    2MBI200U4H-120-50
    2MBI200U4H-120-50 - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module

    1817119

    FUJI ELECTRIC - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 200A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.05V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 200A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.05V
    Verlustleistung Pd 1.04kW
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor Module
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    Nicht verfügbar

    1+ 98,78 € Preiseinheit: 5+ 96,80 € Preiseinheit: 10+ 94,83 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 98,78 €   5+ 96,80 €   10+ 94,83 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 200A 2.05V 1.04kW 1.2kV Module 7Pin(s) 150°C -
    VLA517-01R
    VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15

    1689601

    FUJI ELECTRIC - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 4A
    Bauform - Transistor SIP

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    FUJI ELECTRIC 

    Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15

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    3.754 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Wieder verfügbar ab 30.09.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 4A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) -
    Verlustleistung Pd -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Bauform - Transistor SIP
    Anzahl der Pins 15Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 60°C
    Produktpalette -

    3.797

    1+ 14,90 € Preiseinheit: 5+ 14,04 € Preiseinheit: 10+ 13,15 € Preiseinheit: 50+ 12,88 € Preiseinheit: 100+ 12,62 € Preiseinheit: 250+ 12,36 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 14,90 €   5+ 14,04 €   10+ 13,15 €   50+ 12,88 €   100+ 12,62 €   250+ 12,36 €   Weitere Preise …

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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 4A - - - SIP 15Pin(s) 60°C -
    SKM400GB125D
    SKM400GB125D - IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423700

    SEMIKRON - IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Wandlerpolarität Zweifach n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 400A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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  • 12 versandfertig ab 07.03.19
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    Wandlerpolarität Zweifach n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 400A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.3V
    Verlustleistung Pd -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor Module
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    2

    1+ 306,00 € Preiseinheit: 5+ 254,00 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 306,00 €   5+ 254,00 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    Zweifach n-Kanal 400A 3.3V - 1.2kV Module 7Pin(s) 150°C -
    IXGN200N60B3
    IXGN200N60B3 - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    2784063

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 300A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.35V

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B

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    4 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    5 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 10 versandfertig ab 06.03.19
  • 10 versandfertig ab 22.06.19
  • Wieder verfügbar ab 29.07.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 300A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.35V
    Verlustleistung Pd 830W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor SOT-227B
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette IGBT Module GenX3 Series

    9

    1+ 30,31 € Preiseinheit: 5+ 28,92 € Preiseinheit: 10+ 25,77 € Preiseinheit: 50+ 25,25 € Preiseinheit: 100+ 21,98 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 30,31 €   5+ 28,92 €   10+ 25,77 €   50+ 25,25 €   100+ 21,98 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 300A 1.35V 830W 600V SOT-227B 4Pin(s) 150°C IGBT Module GenX3 Series
    2MBI100TA-060-50
    2MBI100TA-060-50 - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    1689571

    FUJI ELECTRIC - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.4V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

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    554 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 40 versandfertig ab 24.02.19
  • 100 versandfertig ab 10.04.19
  • Wieder verfügbar ab 30.09.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.4V
    Verlustleistung Pd 310W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor Module
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    554

    1+ 47,93 € Preiseinheit: 5+ 46,73 € Preiseinheit: 10+ 45,50 € Preiseinheit: 50+ 44,59 € Preiseinheit: 100+ 43,70 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 47,93 €   5+ 46,73 €   10+ 45,50 €   50+ 44,59 €   100+ 43,70 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 100A 2.4V 310W 600V Module 7Pin(s) 150°C -
    FSBB15CH60C
    FSBB15CH60C - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    1700678

    ON SEMICONDUCTOR - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 15A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

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    40 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    17 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 60 versandfertig ab 31.05.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 15A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2V
    Verlustleistung Pd 55W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor SPM27-CC
    Anzahl der Pins 27Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette Motion SPM 3 Series

    57

    1+ 17,47 € Preiseinheit: 5+ 16,44 € Preiseinheit: 10+ 15,40 € Preiseinheit: 50+ 14,48 € Preiseinheit: 100+ 13,56 € Preiseinheit: 250+ 12,07 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 17,47 €   5+ 16,44 €   10+ 15,40 €   50+ 14,48 €   100+ 13,56 €   250+ 12,07 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 15A 2V 55W 600V SPM27-CC 27Pin(s) 150°C Motion SPM 3 Series
    VS-CPV363M4FPBF
    VS-CPV363M4FPBF - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    2101469

    VISHAY - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 11A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2V

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    VISHAY 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP

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    2 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    8 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 27.01.20

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 11A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2V
    Verlustleistung Pd 36W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor SIP
    Anzahl der Pins 13Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    10

    1+ 63,11 € Preiseinheit: 5+ 61,96 € Preiseinheit: 10+ 57,54 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 63,11 €   5+ 61,96 €   10+ 57,54 €  

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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 11A 2V 36W 600V SIP 13Pin(s) 150°C -
    VS-GA200SA60UP
    VS-GA200SA60UP - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    2547317

    VISHAY - IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 200A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.92V

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    VISHAY 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, n-Kanal, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

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    1 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    8 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 19.08.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 200A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.92V
    Verlustleistung Pd 500W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor SOT-227
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    9

    1+ 33,06 € Preiseinheit: 5+ 29,75 € Preiseinheit: 10+ 27,44 € Preiseinheit: 50+ 26,71 € Preiseinheit: 100+ 25,98 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück

    1+ 33,06 €   5+ 29,75 €   10+ 27,44 €   50+ 26,71 €   100+ 25,98 €  

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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 200A 1.92V 500W 600V SOT-227 4Pin(s) 150°C -
    SKM100GB125DN
    SKM100GB125DN - IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423681

    SEMIKRON - IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Wandlerpolarität Zweifach n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.3V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    SEMIKRON 

    IGBT-Transistor-Array & -Modul, Zweifach n-Kanal, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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    1 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    5 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 20.05.19

    Wandlerpolarität Zweifach n-Kanal
    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.3V
    Verlustleistung Pd -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor Module
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -

    6

    1+ 164,00 € Preiseinheit: 5+ 135,00 € Preiseinheit: 10+ 121,00 € Preiseinheit: 50+ 112,00 € Preiseinheit:

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    FZ600R17KE4HOSA1
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