Einzelne IGBT-Transistoren

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DC-Kollektorstrom Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) Verlustleistung Pd Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IXYB82N120C3H1
IXYB82N120C3H1 - IGBT-Einzeltransistor, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)

2674798

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT-Einzeltransistor, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)

DC-Kollektorstrom 164A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.75V
Verlustleistung Pd 1.04kW

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IXYS SEMICONDUCTOR 

IGBT-Einzeltransistor, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

23 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 23.09.19

DC-Kollektorstrom 164A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.75V
Verlustleistung Pd 1.04kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
Bauform - Transistor TO-264AA
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette XPT GenX3 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

23

1+ 18,50 € Preiseinheit: 5+ 17,57 € Preiseinheit: 10+ 15,73 € Preiseinheit: 50+ 15,35 € Preiseinheit: 100+ 14,62 € Preiseinheit: 250+ 12,77 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück

1+ 18,50 € 5+ 17,57 € 10+ 15,73 € 50+ 15,35 € 100+ 14,62 € 250+ 12,77 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 1 Mult: 1
164A 2.75V 1.04kW 1.2kV TO-264AA 3Pin(s) 150°C XPT GenX3 Series -
NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG - IGBT-Einzeltransistor, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

2216672

ON SEMICONDUCTOR - IGBT-Einzeltransistor, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

Betriebstemperatur, max. 150°C

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ON SEMICONDUCTOR 

IGBT-Einzeltransistor, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

475 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 11.11.19

Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
Diodenkonfiguration -
Durchlassspannung Vf max. -
Sperrerholzeit Trr, max. -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
Betriebstemperatur, max. 150°C
Bauform - Diode -
Anzahl der Pins -
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

475

5+ 1,12 € Preiseinheit: 25+ 1,01 € Preiseinheit: 100+ 0,778 € Preiseinheit: 250+ 0,733 € Preiseinheit: 500+ 0,688 € Preiseinheit: 1000+ 0,482 € Preiseinheit: 5000+ 0,476 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück

5+ 1,12 € 25+ 1,01 € 100+ 0,778 € 250+ 0,733 € 500+ 0,688 € 1000+ 0,482 € 5000+ 0,476 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 5 Mult: 5
30A 1.75V 117W 600V TO-220 3Pin(s) 150°C - -
HGTG20N60B3..
HGTG20N60B3.. - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)

1838983

ON SEMICONDUCTOR - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)

Betriebstemperatur, max. 150°C

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ON SEMICONDUCTOR 

IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

53 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

375 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 06.05.19

Periodische Sperrspannung Vrrm, max. -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV) -
Diodenkonfiguration -
Durchlassspannung Vf max. -
Sperrerholzeit Trr, max. -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max. -
Betriebstemperatur, max. 150°C
Bauform - Diode -
Anzahl der Pins -
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

428

1+ 4,66 € Preiseinheit: 10+ 3,20 € Preiseinheit: 100+ 2,78 € Preiseinheit: 250+ 2,64 € Preiseinheit: 500+ 2,37 € Preiseinheit: 1000+ 1,89 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück

1+ 4,66 € 10+ 3,20 € 100+ 2,78 € 250+ 2,64 € 500+ 2,37 € 1000+ 1,89 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
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Min: 1 Mult: 1
40A 2V 165W 600V TO-247 3Pin(s) 150°C - -
IRG4BC40W-LPBF
IRG4BC40W-LPBF - IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s)

2576900

INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s)

DC-Kollektorstrom 40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.36V
Verlustleistung Pd 160W

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INFINEON 

IGBT-Einzeltransistor, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

181 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 23.03.20

DC-Kollektorstrom 40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.36V
Verlustleistung Pd 160W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
Bauform - Transistor TO-262
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

181

1+ 3,55 € Preiseinheit: 10+ 2,70 € Preiseinheit: 100+ 2,33 € Preiseinheit: 250+ 2,21 € Preiseinheit: 500+ 1,99 € Preiseinheit: 1000+ 1,67 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück

1+ 3,55 € 10+ 2,70 € 100+ 2,33 € 250+ 2,21 € 500+ 1,99 € 1000+ 1,67 € Weitere Preise …

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Min: 1 Mult: 1
40A 2.36V 160W 600V TO-262 3Pin(s) 150°C - -
IRG4PC40UD-EPBF
IRG4PC40UD-EPBF - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

8659486

INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

DC-Kollektorstrom 40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.15V
Verlustleistung Pd 160W

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INFINEON 

IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

+ Lageraufstockung

15 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

457 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 400 versandfertig ab 20.07.19
  • Wieder verfügbar ab 23.03.20

    DC-Kollektorstrom 40A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 2.15V
    Verlustleistung Pd 160W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 600V
    Bauform - Transistor TO-247AC
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette IRG4 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    472

    1+ 6,00 € Preiseinheit: 10+ 3,92 € Preiseinheit: 100+ 3,76 € Preiseinheit: 250+ 3,68 € Preiseinheit: 500+ 3,42 € Preiseinheit: 1000+ 2,73 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 6,00 € 10+ 3,92 € 100+ 3,76 € 250+ 3,68 € 500+ 3,42 € 1000+ 2,73 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    40A 2.15V 160W 600V TO-247AC 3Pin(s) 150°C IRG4 Series -
    IXYH50N120C3
    IXYH50N120C3 - IGBT-Einzeltransistor, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)

    2674799

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT-Einzeltransistor, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)

    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.1V
    Verlustleistung Pd 750W

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    IGBT-Einzeltransistor, 100 A, 3.1 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)

    + Lageraufstockung

    31 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 23.09.19

    DC-Kollektorstrom 100A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 3.1V
    Verlustleistung Pd 750W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 1.2kV
    Bauform - Transistor TO-247AD
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette XPT GenX3 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    31

    1+ 9,12 € Preiseinheit: 5+ 8,07 € Preiseinheit: 10+ 6,61 € Preiseinheit: 50+ 6,09 € Preiseinheit: 100+ 5,97 € Preiseinheit: 250+ 4,39 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 9,12 € 5+ 8,07 € 10+ 6,61 € 50+ 6,09 € 100+ 5,97 € 250+ 4,39 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    100A 3.1V 750W 1.2kV TO-247AD 3Pin(s) 175°C XPT GenX3 Series -
    IKW40N65WR5XKSA1
    IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)

    2781033

    INFINEON - IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)

    DC-Kollektorstrom 80A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.4V
    Verlustleistung Pd 230W

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    INFINEON 

    IGBT-Einzeltransistor, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)

    + Lageraufstockung

    112 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 23.03.20

    DC-Kollektorstrom 80A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.4V
    Verlustleistung Pd 230W
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 650V
    Bauform - Transistor TO-247
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette TRENCHSTOP 5 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    112

    1+ 3,39 € Preiseinheit: 10+ 2,85 € Preiseinheit: 100+ 2,46 € Preiseinheit: 250+ 2,09 € Preiseinheit: 500+ 1,96 € Preiseinheit: 1000+ 1,83 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 3,39 € 10+ 2,85 € 100+ 2,46 € 250+ 2,09 € 500+ 1,96 € 1000+ 1,83 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    80A 1.4V 230W 650V TO-247 3Pin(s) 175°C TRENCHSTOP 5 Series -
    HGTG30N60B3D..
    HGTG30N60B3D.. - IGBT-Einzeltransistor, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)

    1838984

    ON SEMICONDUCTOR - IGBT-Einzeltransistor, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)

    DC-Kollektorstrom 60A
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on) 1.9V
    Verlustleistung Pd 208W

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