Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

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Wandlerpolarität Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo Übergangsfrequenz ft Verlustleistung Pd DC-Kollektorstrom DC-Stromverstärkung hFE Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BC847C,215
BC847C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

1081235

NEXPERIA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette Baureihe BC847

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NEXPERIA 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

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  • 24.000 versandfertig ab 24.11.19
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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Batterie-/Akkutyp -
    Eingangsspannung -
    Ladespannung -
    Ladestrom, max. -
    Bauform - Batterie-IC -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Anzahl der Zellen -
    Betriebstemperatur, min. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette Baureihe BC847

    241.770

    5+ 0,121 € Preiseinheit: 50+ 0,0462 € Preiseinheit: 100+ 0,0412 € Preiseinheit: 500+ 0,0263 € Preiseinheit: 1500+ 0,0252 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081235
    1081235RL in Re-Reel
    2319372 in Reel

    5+ 0,121 €   50+ 0,0462 €   100+ 0,0412 €   500+ 0,0263 €   1500+ 0,0252 €  

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    Min: 5 Mult: 5
    NPN 45V 100MHz 250mW 100mA 420hFE SOT-23 3Pin(s) 150°C Baureihe BC847 -
    BC847C,215
    BC847C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

    1081235RL

    NEXPERIA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Übergangsfrequenz ft 100MHz

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    NEXPERIA 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

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    196.306 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 15.000 versandfertig ab 25.02.19
  • 30.000 versandfertig ab 07.04.19
  • 18.000 versandfertig ab 24.07.19
  • 27.000 versandfertig ab 19.10.19
  • 114.000 versandfertig ab 26.01.19
  • 105.000 versandfertig ab 28.02.19
  • 36.000 versandfertig ab 24.06.19
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    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Übergangsfrequenz ft 100MHz
    Verlustleistung Pd 250mW
    DC-Kollektorstrom 100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 420hFE
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette Baureihe BC847
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    241.770

    150+ 0,0412 € Preiseinheit: 500+ 0,0263 € Preiseinheit: 1500+ 0,0252 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081235RL
    1081235 in Gurtabschnitte
    2319372 in Reel
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    5+ 0,121 €   50+ 0,0462 €   100+ 0,0412 €   500+ 0,0263 €   1500+ 0,0252 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 150 Mult: 5
    NPN 45V 100MHz 250mW 100mA 420hFE SOT-23 3Pin(s) 150°C Baureihe BC847 -
    BC847CW,115
    BC847CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE

    1081236

    NEXPERIA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE

    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BC847 Series

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    NEXPERIA 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE

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    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Batterie-/Akkutyp -
    Eingangsspannung -
    Ladespannung -
    Ladestrom, max. -
    Bauform - Batterie-IC -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Anzahl der Zellen -
    Betriebstemperatur, min. -
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BC847 Series

    14.133

    5+ 0,121 € Preiseinheit: 50+ 0,116 € Preiseinheit: 100+ 0,0418 € Preiseinheit: 500+ 0,026 € Preiseinheit: 1500+ 0,025 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081236
    1081236RL in Re-Reel

    5+ 0,121 €   50+ 0,116 €   100+ 0,0418 €   500+ 0,026 €   1500+ 0,025 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    NPN 45V 100MHz 200mW 100mA 420hFE SOT-323 3Pin(s) 150°C BC847 Series -
    BC857BS,115
    BC857BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

    1081247

    NEXPERIA - Bipolares Transistor-Array, Universal, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Verlustleistung Pd 200mW

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    NEXPERIA 

    Bipolares Transistor-Array, Universal, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

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    88.755 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 18.000 versandfertig ab 30.12.19
  • 30.000 versandfertig ab 24.03.19
  • 54.000 versandfertig ab 05.07.19
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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 45V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 200mW
    DC-Kollektorstrom -100mA
    DC-Stromverstärkung hFE 200hFE
    Bauform - Transistor SC-88
    Anzahl der Pins 6Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    159.180

    5+ 0,237 € Preiseinheit: 25+ 0,23 € Preiseinheit: 100+ 0,0901 € Preiseinheit: 250+ 0,0869 € Preiseinheit: 500+ 0,0827 € Preiseinheit: 1000+ 0,0466 € Preiseinheit: 5000+ 0,0371 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081247
    1081247RL in Re-Reel

    5+ 0,237 €   25+ 0,23 €   100+ 0,0901 €   250+ 0,0869 €   500+ 0,0827 €   1000+ 0,0466 €   5000+ 0,0371 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    PNP 45V - 200mW -100mA 200hFE SC-88 6Pin(s) 150°C - -
    FDD7N60NZTM
    FDD7N60NZTM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

    2829468

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

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    2.415 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1.05ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 5V
    Verlustleistung Pd 90W
    Bauform - Transistor TO-251AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette UniFET II Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.415

    5+ 1,15 € Preiseinheit: 25+ 1,04 € Preiseinheit: 100+ 0,797 € Preiseinheit: 250+ 0,751 € Preiseinheit: 500+ 0,705 € Preiseinheit: 1000+ 0,556 € Preiseinheit: 5000+ 0,545 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2829468
    2829468RL in Re-Reel

    5+ 1,15 €   25+ 1,04 €   100+ 0,797 €   250+ 0,751 €   500+ 0,705 €   1000+ 0,556 €   5000+ 0,545 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal - - 90W - - TO-251AA 3Pin(s) 150°C UniFET II Series -
    STP24N60DM2
    STP24N60DM2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

    2807289

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 18 A, 600 V, 0.175 ohm, 10 V, 4 V

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    35 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 04.03.19

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 18A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.175ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 150W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette FDmesh II Plus Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    35

    1+ 3,83 € Preiseinheit: 10+ 2,90 € Preiseinheit: 100+ 2,51 € Preiseinheit: 250+ 2,39 € Preiseinheit: 500+ 2,14 € Preiseinheit: 1000+ 1,81 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 3,83 €   10+ 2,90 €   100+ 2,51 €   250+ 2,39 €   500+ 2,14 €   1000+ 1,81 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal - - 150W - - TO-220AB 3Pin(s) 150°C FDmesh II Plus Series -
    IRF2804STRL7PP
    IRF2804STRL7PP - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

    2725882RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

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    1.548 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 800 versandfertig ab 20.07.19
  • Wieder verfügbar ab 28.10.19

    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0012ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 330W
    Bauform - Transistor TO-263AB
    Anzahl der Pins 7Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.548

    10+ 1,56 € Preiseinheit: 100+ 1,38 € Preiseinheit: 250+ 1,35 € Preiseinheit: 500+ 1,32 € Preiseinheit: 1000+ 1,30 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2725882RL
    2725882 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    1+ 2,03 €   10+ 1,56 €   100+ 1,38 €   250+ 1,35 €   500+ 1,32 €   1000+ 1,30 €   Weitere Preise …

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    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal - - 330W - - TO-263AB 7Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    BC807-25
    BC807-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, 310 mW, -500 mA, 400 hFE

    1902480

    DIODES INC. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, 310 mW, -500 mA, 400 hFE

    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -45V
    Verlustleistung Pd 310mW

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    DIODES INC. 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, 310 mW, -500 mA, 400 hFE

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    625 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    2.779 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 3.000 versandfertig ab 17.03.19
  • 3.000 versandfertig ab 25.01.19
  • Wieder verfügbar ab 27.05.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -45V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 310mW
    DC-Kollektorstrom -500mA
    DC-Stromverstärkung hFE 400hFE
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    3.404

    5+ 0,059 € Preiseinheit: 25+ 0,05 € Preiseinheit: 100+ 0,0319 € Preiseinheit: 250+ 0,0295 € Preiseinheit: 500+ 0,0259 € Preiseinheit: 1000+ 0,0196 € Preiseinheit: 5000+ 0,0181 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1902480
    1902480RL in Re-Reel

    5+ 0,059 €   25+ 0,05 €   100+ 0,0319 €   250+ 0,0295 €   500+ 0,0259 €   1000+ 0,0196 €   5000+ 0,0181 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    PNP -45V - 310mW -500mA 400hFE SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    FDD7N60NZTM
    FDD7N60NZTM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

    2829468RL

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 5.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 5 V

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    2.415 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 5.5A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1.05ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 5V
    Verlustleistung Pd 90W
    Bauform - Transistor TO-251AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette UniFET II Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.415

    10+ 1,15 € Preiseinheit: 25+ 1,04 € Preiseinheit: 100+ 0,797 € Preiseinheit: 250+ 0,751 € Preiseinheit: 500+ 0,705 € Preiseinheit: 1000+ 0,556 € Preiseinheit: 5000+ 0,545 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    n-Kanal - - 90W - - TO-251AA 3Pin(s) 150°C UniFET II Series -
    ZTX753
    ZTX753 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -100 V, 140 MHz, 1 W, -2 A, 100 hFE

    9525637

    DIODES INC. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -100 V, 140 MHz, 1 W, -2 A, 100 hFE

    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -100V
    Übergangsfrequenz ft 140MHz

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    DIODES INC. 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, -100 V, 140 MHz, 1 W, -2 A, 100 hFE

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    Wandlerpolarität PNP
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -100V
    Übergangsfrequenz ft 140MHz
    Verlustleistung Pd 1W
    DC-Kollektorstrom -2A
    DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
    Bauform - Transistor E-Line
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    7.724

    5+ 0,682 € Preiseinheit: 25+ 0,542 € Preiseinheit: 100+ 0,389 € Preiseinheit: 250+ 0,363 € Preiseinheit: 500+ 0,336 € Preiseinheit: 1000+ 0,31 € Preiseinheit: 5000+ 0,283 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    PNP -100V 140MHz 1W -2A 100hFE E-Line 3Pin(s) 200°C - -
    MMSZ4699T1G
    MMSZ4699T1G - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    1651593

    ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

    Verlustleistung Pd 500mW
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pin(s), 150 °C

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 500mW
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MMSZ4xxxT1G Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    335

    5+ 0,158 € Preiseinheit: 50+ 0,149 € Preiseinheit: 100+ 0,0632 € Preiseinheit: 500+ 0,0394 € Preiseinheit: 1500+ 0,0354 € Preiseinheit:

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    Gurtabschnitte
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    1651593RL in Re-Reel
    2441464 in Reel

    5+ 0,158 €   50+ 0,149 €   100+ 0,0632 €   500+ 0,0394 €   1500+ 0,0354 €  

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    - - - 500mW - - - 2Pin(s) 150°C MMSZ4xxxT1G Series AEC-Q101
    BSS138LT3G
    BSS138LT3G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    2101819

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 200mA
    Drain-Source-Spannung Vds 50V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 200mA
    Drain-Source-Spannung Vds 50V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 5.6ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 2.75V
    Schwellenspannung Vgs 500mV
    Verlustleistung Pd 225mW
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    139.254

    5+ 0,266 € Preiseinheit: 25+ 0,256 € Preiseinheit: 100+ 0,103 € Preiseinheit: 250+ 0,0968 € Preiseinheit: 500+ 0,0747 € Preiseinheit: 1000+ 0,0525 € Preiseinheit: 5000+ 0,0443 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    n-Kanal - - 225mW - - SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    VS-10MQ100-M3/5AT
    VS-10MQ100-M3/5AT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 780 mV

    2628285

    VISHAY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 780 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C

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    VISHAY 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 780 mV

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    RoHS
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    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    7.953

    5+ 0,288 € Preiseinheit: 25+ 0,215 € Preiseinheit: 100+ 0,159 € Preiseinheit:

    Menge

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    - - - - - - - 2Pin(s) 150°C - -
    IRF2804STRLPBF
    IRF2804STRLPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    2725883

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 75A
    Drain-Source-Spannung Vds 40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0015ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 300W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    148

    1+ 2,35 € Preiseinheit: 10+ 2,24 € Preiseinheit: 100+ 1,94 € Preiseinheit: 250+ 1,85 € Preiseinheit: 500+ 1,72 € Preiseinheit: 1000+ 1,59 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
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    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:2725883
    2725883RL in Re-Reel

    1+ 2,35 €   10+ 2,24 €   100+ 1,94 €   250+ 1,85 €   500+ 1,72 €   1000+ 1,59 €   Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal - - 300W - - TO-263 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    NX3020NAKW,115
    NX3020NAKW,115 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V

    2311183

    NEXPERIA - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 180mA
    Drain-Source-Spannung Vds 30V

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    NEXPERIA 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 180mA
    Drain-Source-Spannung Vds 30V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 2.7ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.2V
    Verlustleistung Pd 300mW
    Bauform - Transistor SOT-323
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    14.805

    5+ 0,161 € Preiseinheit: 25+ 0,158 € Preiseinheit: 100+ 0,0647 € Preiseinheit: 250+ 0,0603 € Preiseinheit: 500+ 0,0588 € Preiseinheit: 1000+ 0,0315 € Preiseinheit: 5000+ 0,0252 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 0,161 €   25+ 0,158 €   100+ 0,0647 €   250+ 0,0603 €   500+ 0,0588 €   1000+ 0,0315 €   5000+ 0,0252 €   Weitere Preise …

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    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal - - 300mW - - SOT-323 3Pin(s) 150°C - -
    NTMFS6B03NT1G
    NTMFS6B03NT1G - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

    2473415RL

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 132A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V

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    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 132A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0038ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 165W
    Bauform - Transistor DFN
    Anzahl der Pins 5Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.832

    10+ 4,93 € Preiseinheit: 100+ 4,26 € Preiseinheit: 250+ 4,05 € Preiseinheit: 500+ 3,64 € Preiseinheit: 1000+ 2,91 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
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    Empfohlener Ersatz für:2473415RL
    2473415 in Gurtabschnitte
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    1+ 6,36 €   10+ 4,93 €   100+ 4,26 €   250+ 4,05 €   500+ 3,64 €   1000+ 2,91 €   Weitere Preise …

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    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal - - 165W - - DFN 5Pin(s) 150°C - -
    BAS28,215
    BAS28,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    1081185

    NEXPERIA - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BAS28 Series

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    NEXPERIA 

    Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

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    450 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BAS28 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    450

    5+ 0,232 € Preiseinheit: 50+ 0,168 € Preiseinheit: 100+ 0,104 € Preiseinheit: 500+ 0,0676 € Preiseinheit: 1500+ 0,0572 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081185
    1081185RL in Re-Reel
    2336739 in Reel

    5+ 0,232 €   50+ 0,168 €   100+ 0,104 €   500+ 0,0676 €   1500+ 0,0572 €  

    Eingeschränkter Artikel
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    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - 4Pin(s) 150°C BAS28 Series -
    IRFB3306PBF
    IRFB3306PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

    1436951

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 160 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 4 V

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    245 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    239 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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  • 1.000 versandfertig ab 17.05.19
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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 160A
    Drain-Source-Spannung Vds 60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0042ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 230W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    484

    5+ 1,41 € Preiseinheit: 25+ 1,27 € Preiseinheit: 100+ 1,03 € Preiseinheit: 250+ 0,965 € Preiseinheit: 500+ 0,90 € Preiseinheit: 1000+ 0,743 € Preiseinheit: 5000+ 0,728 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 1,41 €   25+ 1,27 €   100+ 1,03 €   250+ 0,965 €   500+ 0,90 €   1000+ 0,743 €   5000+ 0,728 €   Weitere Preise …

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    n-Kanal - - 230W - - TO-220AB 3Pin(s) 175°C - -
    1PS76SB21,115
    1PS76SB21,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C

    8734038

    NEXPERIA - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C

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    Produktpalette 1PS76SB Series

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    NEXPERIA 

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C

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    Produktpalette 1PS76SB Series
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    37.575

    5+ 0,215 € Preiseinheit: 25+ 0,146 € Preiseinheit: 100+ 0,10 € Preiseinheit: 250+ 0,0935 € Preiseinheit: 500+ 0,0741 € Preiseinheit: 1000+ 0,0546 € Preiseinheit: 5000+ 0,0483 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    - - - - - - - 2Pin(s) 150°C 1PS76SB Series -
    MBRM140T1G
    MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

    1459067

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

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    Produktpalette MBRM1 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV

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    Produktpalette MBRM1 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

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    5+ 0,266 € Preiseinheit: 50+ 0,244 € Preiseinheit: 100+ 0,132 € Preiseinheit: 500+ 0,095 € Preiseinheit: 1500+ 0,0913 € Preiseinheit:

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    - - - - - - - 2Pin(s) 125°C MBRM1 Series AEC-Q101
    NTD2955T4G
    NTD2955T4G - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

    2317614

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V

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    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 12A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.155ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -2.8V
    Verlustleistung Pd 55W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    22.977

    5+ 0,715 € Preiseinheit: 25+ 0,646 € Preiseinheit: 100+ 0,411 € Preiseinheit: 250+ 0,366 € Preiseinheit: 500+ 0,322 € Preiseinheit: 1000+ 0,277 € Preiseinheit: 5000+ 0,268 € Preiseinheit: Weitere Preise …

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    p-Kanal - - 55W - - TO-252 4Pin(s) 175°C - -
    IPD50N10S3L16ATMA1
    IPD50N10S3L16ATMA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    2443397

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

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    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V

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    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 50A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0125ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 1.7V
    Verlustleistung Pd 100W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    4.394

    5+ 1,18 € Preiseinheit: 25+ 1,08 € Preiseinheit: 100+ 0,975 € Preiseinheit:

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    2443397RL in Re-Reel

    5+ 1,18 €   25+ 1,08 €   100+ 0,975 €  

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    n-Kanal - - 100W - - TO-252 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    MMBT5551LT1G
    MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

    1459109

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 160V
    Verlustleistung Pd 225mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

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    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 160V
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd 225mW
    DC-Kollektorstrom 600mA
    DC-Stromverstärkung hFE 80hFE
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MMBTxxxx Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    35.485

    5+ 0,179 € Preiseinheit: 50+ 0,17 € Preiseinheit: 100+ 0,0612 € Preiseinheit: 500+ 0,0374 € Preiseinheit: 1500+ 0,0329 € Preiseinheit:

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    2317831 in Reel

    5+ 0,179 €   50+ 0,17 €   100+ 0,0612 €   500+ 0,0374 €   1500+ 0,0329 €  

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    NPN 160V - 225mW 600mA 80hFE SOT-23 3Pin(s) 150°C MMBTxxxx Series AEC-Q101
    BCP56-16,115
    BCP56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

    1081258

    NEXPERIA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 80V
    Übergangsfrequenz ft 180MHz

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    NEXPERIA 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE

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    Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität NPN
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo 80V
    Übergangsfrequenz ft 180MHz
    Verlustleistung Pd 650mW
    DC-Kollektorstrom 1A
    DC-Stromverstärkung hFE 100hFE
    Bauform - Transistor SOT-223
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette BCP56 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.233

    1+ 0,427 € Preiseinheit: 10+ 0,136 € Preiseinheit: 50+ 0,13 € Preiseinheit: 200+ 0,118 € Preiseinheit: 500+ 0,0988 € Preiseinheit:

    Menge

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    Gurtabschnitte
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    Empfohlener Ersatz für:1081258
    1081258RL in Re-Reel
    2336787 in Reel

    1+ 0,427 €   10+ 0,136 €   50+ 0,13 €   200+ 0,118 €   500+ 0,0988 €  

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN 80V 180MHz 650mW 1A 100hFE SOT-223 4Pin(s) 150°C BCP56 Series -
    MBRS2040LT3G
    MBRS2040LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

    1459072

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRS2 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA, 2 Pin(s), 430 mV

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    4.155 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    26.204 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
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    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo -
    Übergangsfrequenz ft -
    Verlustleistung Pd -
    DC-Kollektorstrom -
    DC-Stromverstärkung hFE -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette MBRS2 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    30.359

    5+ 0,287 € Preiseinheit: 50+ 0,262 € Preiseinheit: 100+ 0,14 € Preiseinheit: 500+ 0,136 € Preiseinheit: 1000+ 0,102 € Preiseinheit:

    Menge
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    Empfohlener Ersatz für:1459072
    1459072RL in Re-Reel
    2317674 in Reel

    5+ 0,287 €   50+ 0,262 €   100+ 0,14 €   500+ 0,136 €   1000+ 0,102 €  

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