Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden

: 41.669 Produkte gefunden
×
Keine angewandte Filter
41.669 Produkte gefunden Klicken Sie auf „Filter anwenden“, um die Ergebnisse zu aktualisieren
Min./Max. Verfügbarkeit

Wenn Sie bei der Option „Speichern“ ein Häkchen setzen, werden Ihre aktuellen Filtereinstellungen für zukünftige Suchen gespeichert

Konformität
Verpackung

Neue Funktion

Filter auswählen

Ab sofort können Sie Filter auch wie folgt auswählen:

  • Shift + Auswählen
  • Strg + Auswählen
  • Select + Ziehen
OK, ich habe verstanden

Die Anzeige der Vertragspreise steht im Moment nicht zur Verfügung. Bei den angezeigten Preisen handelt es sich um Standard-Verkaufspreise. Bei getätigten Bestellungen werden die Vertragspreise bei der Auftragsbearbeitung angewandt.

Produkte vergleichen Vergleichen Auswahl hinzufügen Hinzufügen
Erweiterte Einstellungen Attribute
Eigenschaften zur Tabelle hinzufügen

Wählen Sie die Eigenschaften aus, die Sie gerne am Ende der Tabellenspalten hinzufügen möchten.

  Hersteller-Teilenr. Bestellnummer Hersteller / Beschreibung
Verfüg Preiseinheit:
Preis
Menge
Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Rds(on)-Messspannung Vgs Schwellenspannung Vgs Verlustleistung Pd Bauform - Transistor Anzahl der Pins Betriebstemperatur, max. Produktpalette Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IRFP4710PBF
IRFP4710PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 72 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 5.5 V

8658609

INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 72 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 5.5 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 72A
Drain-Source-Spannung Vds 100V

+ Alle Produktinformationen anzeigen

INFINEON 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 72 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 5.5 V

+ Lageraufstockung

55 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 14.10.19

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 72A
Drain-Source-Spannung Vds 100V
Betriebswiderstand, Rds(on) 0.014ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
Schwellenspannung Vgs 5.5V
Verlustleistung Pd 190W
Bauform - Transistor TO-247AC
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 175°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

55

1+ 2,44 € Preiseinheit: 10+ 1,97 € Preiseinheit: 100+ 1,71 € Preiseinheit: 250+ 1,63 € Preiseinheit: 500+ 1,45 € Preiseinheit: 1000+ 1,32 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück

1+ 2,44 € 10+ 1,97 € 100+ 1,71 € 250+ 1,63 € 500+ 1,45 € 1000+ 1,32 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
Hinzufügen
Min: 1 Mult: 1
n-Kanal 72A 100V 0.014ohm 10V 5.5V 190W TO-247AC 3Pin(s) 175°C - -
IRFP90N20DPBF
IRFP90N20DPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 94 A, 200 V, 0.023 ohm, 10 V, 5 V

8658617

INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 94 A, 200 V, 0.023 ohm, 10 V, 5 V

Stück

1+ 5,28 € 10+ 3,63 € 100+ 3,15 € 250+ 2,99 € 500+ 2,98 € 1000+ 2,97 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
Hinzufügen
Min: 1 Mult: 1
n-Kanal 94A 200V 0.023ohm 10V 5V 580W TO-247AC 3Pin(s) 175°C - -
STD11N60DM2
STD11N60DM2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

2729654RL

STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 10A
Drain-Source-Spannung Vds 600V

+ Alle Produktinformationen anzeigen

STMICROELECTRONICS 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

+ Lageraufstockung

10 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

2.452 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

Wieder verfügbar ab 23.09.19

Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Wandlerpolarität n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id 10A
Drain-Source-Spannung Vds 600V
Betriebswiderstand, Rds(on) 0.37ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
Schwellenspannung Vgs 4V
Verlustleistung Pd 110W
Bauform - Transistor TO-252
Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 150°C
Produktpalette -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

2.462

10+ 1,34 € Preiseinheit: 25+ 1,22 € Preiseinheit: 100+ 0,943 € Preiseinheit: 250+ 0,886 € Preiseinheit: 500+ 0,828 € Preiseinheit: 1000+ 0,581 € Preiseinheit: 5000+ 0,566 € Preiseinheit: Weitere Preise …

Menge

Stück (Gurtabschnitt)

Re-Reel
Verpackungsoptionen
Empfohlener Ersatz für:2729654RL
2729654 in Gurtabschnitte
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

5+ 1,34 € 25+ 1,22 € 100+ 0,943 € 250+ 0,886 € 500+ 0,828 € 1000+ 0,581 € 5000+ 0,566 € Weitere Preise …

Eingeschränkter Artikel
Hinzufügen
Min: 10 Mult: 1
n-Kanal 10A 600V 0.37ohm 10V 4V 110W TO-252 3Pin(s) 150°C - -
BAT754,215
BAT754,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 340 mV, 600 mA, 125 °C

1081203

NEXPERIA - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 340 mV, 600 mA, 125 °C

Anzahl der Pins 3Pin(s)
Betriebstemperatur, max. 125°C
Produktpalette BAT754 Series

+ Alle Produktinformationen anzeigen

NEXPERIA 

Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 340 mV, 600 mA, 125 °C

+ Lageraufstockung

1.985 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

13.475 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 6.000 versandfertig ab 26.06.19
  • 3.000 versandfertig ab 01.08.19
  • 9.000 versandfertig ab 25.09.19
  • Wieder verfügbar ab 23.09.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette BAT754 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    15.460

    5+ 0,262 € Preiseinheit: 50+ 0,0894 € Preiseinheit: 100+ 0,0707 € Preiseinheit: 500+ 0,0666 € Preiseinheit: 1500+ 0,0593 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081203
    1081203RL in Re-Reel
    2438985 in Reel

    5+ 0,262 € 50+ 0,0894 € 100+ 0,0707 € 500+ 0,0666 € 1500+ 0,0593 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 3Pin(s) 125°C BAT754 Series -
    MUR1620CTG
    MUR1620CTG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns

    9557482

    ON SEMICONDUCTOR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns

    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette MUR16 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns

    + Lageraufstockung

    50 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 496 versandfertig ab 30.03.19
  • 500 versandfertig ab 18.07.19
  • Wieder verfügbar ab 05.08.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins -
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette MUR16 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    50

    5+ 0,88 € Preiseinheit: 25+ 0,789 € Preiseinheit: 100+ 0,607 € Preiseinheit: 250+ 0,572 € Preiseinheit: 500+ 0,537 € Preiseinheit: 1000+ 0,423 € Preiseinheit: 5000+ 0,415 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück

    5+ 0,88 € 25+ 0,789 € 100+ 0,607 € 250+ 0,572 € 500+ 0,537 € 1000+ 0,423 € 5000+ 0,415 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - - 175°C MUR16 Series -
    BC63916-D27Z
    BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE

    2453811

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Verlustleistung Pd 830mW
    Bauform - Transistor TO-226AA

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE

    + Lageraufstockung

    17.056 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    28.256 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 4.000 versandfertig ab 22.05.19
  • 4.000 versandfertig ab 31.08.19
  • 4.000 versandfertig ab 31.05.19
  • 8.000 versandfertig ab 31.07.19
  • Wieder verfügbar ab 23.12.19

    Wandlerpolarität NPN
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 830mW
    Bauform - Transistor TO-226AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    45.312

    5+ 0,296 € Preiseinheit: 25+ 0,284 € Preiseinheit: 100+ 0,125 € Preiseinheit: 250+ 0,119 € Preiseinheit: 500+ 0,103 € Preiseinheit: 1000+ 0,0865 € Preiseinheit: 5000+ 0,0745 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,296 € 25+ 0,284 € 100+ 0,125 € 250+ 0,119 € 500+ 0,103 € 1000+ 0,0865 € 5000+ 0,0745 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 830mW TO-226AA 3Pin(s) 150°C - -
    BZX79-C4V7
    BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    9844597

    ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    Verlustleistung Pd 500mW
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    + Lageraufstockung

    2.314 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    3.167 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 22.04.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette BZX79 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    5.481

    5+ 0,116 € Preiseinheit: 25+ 0,114 € Preiseinheit: 100+ 0,0402 € Preiseinheit: 250+ 0,0385 € Preiseinheit: 500+ 0,036 € Preiseinheit: 1000+ 0,018 € Preiseinheit: 5000+ 0,016 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück

    5+ 0,116 € 25+ 0,114 € 100+ 0,0402 € 250+ 0,0385 € 500+ 0,036 € 1000+ 0,018 € 5000+ 0,016 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 500mW - 2Pin(s) 200°C BZX79 Series -
    NRVTSA3100ET3G
    NRVTSA3100ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 995 mV

    2844742

    ON SEMICONDUCTOR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 995 mV

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AC, 2 Pin(s), 995 mV

    + Lageraufstockung

    4.557 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 12.08.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    4.557

    5+ 0,308 € Preiseinheit: 25+ 0,295 € Preiseinheit: 100+ 0,121 € Preiseinheit: 250+ 0,116 € Preiseinheit: 500+ 0,102 € Preiseinheit: 1000+ 0,0887 € Preiseinheit: 5000+ 0,058 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück (Gurtabschnitt)

    5+ 0,308 € 25+ 0,295 € 100+ 0,121 € 250+ 0,116 € 500+ 0,102 € 1000+ 0,0887 € 5000+ 0,058 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 175°C - -
    1N5404+
    1N5404+ - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 200 A

    2675021

    MULTICOMP - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 200 A

    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette 1N5400 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    MULTICOMP 

    Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 200 A

    + Lageraufstockung

    350 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    410 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 3.600 versandfertig ab 18.05.19
  • 1.200 versandfertig ab 15.06.19
  • 1.200 versandfertig ab 13.07.19
  • Wieder verfügbar ab 22.07.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette 1N5400 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    760

    5+ 0,202 € Preiseinheit: 25+ 0,162 € Preiseinheit: 100+ 0,116 € Preiseinheit: 250+ 0,0809 € Preiseinheit: 500+ 0,0578 € Preiseinheit: 1000+ 0,0505 € Preiseinheit: 5000+ 0,0449 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 0,202 € 25+ 0,162 € 100+ 0,116 € 250+ 0,0809 € 500+ 0,0578 € 1000+ 0,0505 € 5000+ 0,0449 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 2Pin(s) 150°C 1N5400 Series -
    BZX79-C5V1
    BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    9844619

    ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    Verlustleistung Pd 500mW
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    + Lageraufstockung

    16.240 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    4.092 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 20.000 versandfertig ab 30.03.19
  • Wieder verfügbar ab 22.04.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette BZX79 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    20.332

    5+ 0,116 € Preiseinheit: 25+ 0,114 € Preiseinheit: 100+ 0,0402 € Preiseinheit: 250+ 0,0385 € Preiseinheit: 500+ 0,036 € Preiseinheit: 1000+ 0,018 € Preiseinheit: 5000+ 0,016 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 0,116 € 25+ 0,114 € 100+ 0,0402 € 250+ 0,0385 € 500+ 0,036 € 1000+ 0,018 € 5000+ 0,016 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 500mW - 2Pin(s) 200°C BZX79 Series -
    1N5338BRLG
    1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    2317463

    ON SEMICONDUCTOR - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    Verlustleistung Pd 5W
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    + Lageraufstockung

    390 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    3.085 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 16.12.19

    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 5W
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette 1N5338 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    3.475

    5+ 0,346 € Preiseinheit: 25+ 0,329 € Preiseinheit: 100+ 0,166 € Preiseinheit: 250+ 0,165 € Preiseinheit: 500+ 0,136 € Preiseinheit: 1000+ 0,107 € Preiseinheit: 5000+ 0,10 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 0,346 € 25+ 0,329 € 100+ 0,166 € 250+ 0,165 € 500+ 0,136 € 1000+ 0,107 € 5000+ 0,10 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 5W - 2Pin(s) 200°C 1N5338 Series -
    BAT754A,215
    BAT754A,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 260 mV, 600 mA, 125 °C

    1081204

    NEXPERIA - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 260 mV, 600 mA, 125 °C

    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette BAT754 Series

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    NEXPERIA 

    Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 260 mV, 600 mA, 125 °C

    + Lageraufstockung

    90 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    10.305 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 23.12.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd -
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 125°C
    Produktpalette BAT754 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    10.395

    5+ 0,095 € Preiseinheit: 50+ 0,091 € Preiseinheit: 100+ 0,081 € Preiseinheit: 500+ 0,076 € Preiseinheit: 1500+ 0,0655 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081204
    1081204RL in Re-Reel
    2438986 in Reel

    5+ 0,095 € 50+ 0,091 € 100+ 0,081 € 500+ 0,076 € 1500+ 0,0655 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - - - 3Pin(s) 125°C BAT754 Series -
    SPP18P06PHXKSA1
    SPP18P06PHXKSA1 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V

    2432733

    INFINEON - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -18.7A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V

    + Lageraufstockung

    115 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    190 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 500 versandfertig ab 20.07.19
  • Wieder verfügbar ab 13.01.20

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -18.7A
    Drain-Source-Spannung Vds -60V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.102ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -2.7V
    Verlustleistung Pd 81.1W
    Bauform - Transistor TO-220
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie AEC-Q101

    305

    5+ 1,03 € Preiseinheit: 25+ 0,808 € Preiseinheit: 100+ 0,673 € Preiseinheit: 250+ 0,634 € Preiseinheit: 500+ 0,594 € Preiseinheit: 1000+ 0,512 € Preiseinheit: 5000+ 0,502 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 1,03 € 25+ 0,808 € 100+ 0,673 € 250+ 0,634 € 500+ 0,594 € 1000+ 0,512 € 5000+ 0,502 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    p-Kanal -18.7A -60V 0.102ohm -10V -2.7V 81.1W TO-220 3Pin(s) 175°C - AEC-Q101
    BCX53-16,146
    BCX53-16,146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -80 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 100 hFE

    1081276

    NEXPERIA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -80 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 100 hFE

    Wandlerpolarität PNP
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor SOT-89

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    NEXPERIA 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -80 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 100 hFE

    + Lageraufstockung

    67.620 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 02.03.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität PNP
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor SOT-89
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    67.620

    1+ 0,40 € Preiseinheit: 10+ 0,147 € Preiseinheit: 50+ 0,122 € Preiseinheit: 200+ 0,111 € Preiseinheit: 500+ 0,092 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1081276
    1081276RL in Re-Reel
    2336792 in Reel

    1+ 0,40 € 10+ 0,147 € 50+ 0,122 € 200+ 0,111 € 500+ 0,092 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    PNP - - - - - 500mW SOT-89 3Pin(s) 150°C - -
    BSO040N03MSGXUMA1
    BSO040N03MSGXUMA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

    2725820RL

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 16A
    Drain-Source-Spannung Vds 30V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

    + Lageraufstockung

    1.480 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 23.09.19

    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 16A
    Drain-Source-Spannung Vds 30V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0033ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 2V
    Verlustleistung Pd 1.56W
    Bauform - Transistor SOIC
    Anzahl der Pins 8Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette OptiMOS 3 M Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.480

    10+ 1,22 € Preiseinheit: 25+ 1,10 € Preiseinheit: 100+ 0,848 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2725820RL
    2725820 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    5+ 1,22 € 25+ 1,10 € 100+ 0,848 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 10 Mult: 1
    n-Kanal 16A 30V 0.0033ohm 10V 2V 1.56W SOIC 8Pin(s) 150°C OptiMOS 3 M Series -
    MJ3001
    MJ3001 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 150 W, 10 A, 1000 hFE

    1165911

    MULTICOMP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 150 W, 10 A, 1000 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Verlustleistung Pd 150W
    Bauform - Transistor TO-3

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    MULTICOMP 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 150 W, 10 A, 1000 hFE

    + Lageraufstockung

    278 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    1.370 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 29.07.19

    Wandlerpolarität NPN
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 150W
    Bauform - Transistor TO-3
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.648

    1+ 4,88 € Preiseinheit: 10+ 3,48 € Preiseinheit: 100+ 2,71 € Preiseinheit: 250+ 2,03 € Preiseinheit: 500+ 1,52 € Preiseinheit: 1000+ 1,36 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    1+ 4,88 € 10+ 3,48 € 100+ 2,71 € 250+ 2,03 € 500+ 1,52 € 1000+ 1,36 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    NPN - - - - - 150W TO-3 2Pin(s) 200°C - -
    STB38N65M5
    STB38N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V

    2784045

    STMICROELECTRONICS - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 650V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    STMICROELECTRONICS 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V

    + Lageraufstockung

    420 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    465 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 1.000 versandfertig ab 03.05.19
  • Wieder verfügbar ab 20.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 30A
    Drain-Source-Spannung Vds 650V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.073ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 4V
    Verlustleistung Pd 190W
    Bauform - Transistor TO-263
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette MDmesh V Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    885

    1+ 5,59 € Preiseinheit: 10+ 4,91 € Preiseinheit: 100+ 4,85 € Preiseinheit: 250+ 4,80 € Preiseinheit: 500+ 4,74 € Preiseinheit: 1000+ 4,01 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2784045
    2784045RL in Re-Reel

    1+ 5,59 € 10+ 4,91 € 100+ 4,85 € 250+ 4,80 € 500+ 4,74 € 1000+ 4,01 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 30A 650V 0.073ohm 10V 4V 190W TO-263 3Pin(s) 150°C MDmesh V Series -
    IRLR9343TRPBF
    IRLR9343TRPBF - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -20 A, -55 V, 0.093 ohm, -10 V, -1 V

    2726028

    INFINEON - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -20 A, -55 V, 0.093 ohm, -10 V, -1 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -20A
    Drain-Source-Spannung Vds -55V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    INFINEON 

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -20 A, -55 V, 0.093 ohm, -10 V, -1 V

    + Lageraufstockung

    60 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    759 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 6.000 versandfertig ab 25.03.19
  • Wieder verfügbar ab 23.09.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -20A
    Drain-Source-Spannung Vds -55V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.093ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -1V
    Verlustleistung Pd 79W
    Bauform - Transistor TO-252AA
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 175°C
    Produktpalette HEXFET Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    819

    5+ 0,681 € Preiseinheit: 25+ 0,617 € Preiseinheit: 100+ 0,391 € Preiseinheit: 250+ 0,377 € Preiseinheit: 500+ 0,363 € Preiseinheit: 1000+ 0,349 € Preiseinheit: 5000+ 0,335 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2726028
    2726028RL in Re-Reel

    5+ 0,681 € 25+ 0,617 € 100+ 0,391 € 250+ 0,377 € 500+ 0,363 € 1000+ 0,349 € 5000+ 0,335 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    p-Kanal -20A -55V 0.093ohm -10V -1V 79W TO-252AA 3Pin(s) 175°C HEXFET Series -
    FCD9N60NTM
    FCD9N60NTM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 3 V

    1885780

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 9A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 3 V

    + Lageraufstockung

    1.190 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    1.412 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 2.500 versandfertig ab 01.12.19
  • Wieder verfügbar ab 06.01.20

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 9A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.33ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 83.3W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    2.602

    1+ 2,83 € Preiseinheit: 10+ 2,12 € Preiseinheit: 100+ 1,71 € Preiseinheit: 250+ 1,60 € Preiseinheit: 500+ 1,49 € Preiseinheit: 1000+ 1,15 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1885780
    1885780RL in Re-Reel

    1+ 2,83 € 10+ 2,12 € 100+ 1,71 € 250+ 1,60 € 500+ 1,49 € 1000+ 1,15 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 1 Mult: 1
    n-Kanal 9A 600V 0.33ohm 10V 3V 83.3W TO-252 3Pin(s) 150°C - -
    FCD4N60TM
    FCD4N60TM - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    1324776

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3.9A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

    + Lageraufstockung

    9.135 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    14.856 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 2.500 versandfertig ab 31.08.19
  • 5.000 versandfertig ab 08.05.19
  • 2.500 versandfertig ab 26.10.19
  • Wieder verfügbar ab 23.12.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 3.9A
    Drain-Source-Spannung Vds 600V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 1ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 5V
    Verlustleistung Pd 50W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    23.991

    5+ 1,06 € Preiseinheit: 25+ 0,962 € Preiseinheit: 100+ 0,735 € Preiseinheit: 250+ 0,693 € Preiseinheit: 500+ 0,651 € Preiseinheit: 1000+ 0,455 € Preiseinheit: 5000+ 0,446 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1324776
    1324776RL in Re-Reel

    5+ 1,06 € 25+ 0,962 € 100+ 0,735 € 250+ 0,693 € 500+ 0,651 € 1000+ 0,455 € 5000+ 0,446 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    n-Kanal 3.9A 600V 1ohm 10V 5V 50W TO-252 3Pin(s) 150°C - -
    MMBT3906-7-F
    MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

    1773629

    DIODES INC. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

    Wandlerpolarität PNP
    Verlustleistung Pd 300mW
    Bauform - Transistor SOT-23

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    DIODES INC. 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

    + Lageraufstockung

    8.583 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    18.331 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 12.000 versandfertig ab 10.05.19
  • Wieder verfügbar ab 01.07.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität PNP
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 300mW
    Bauform - Transistor SOT-23
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    26.914

    5+ 0,116 € Preiseinheit: 25+ 0,113 € Preiseinheit: 100+ 0,0382 € Preiseinheit: 250+ 0,0371 € Preiseinheit: 500+ 0,036 € Preiseinheit: 1000+ 0,018 € Preiseinheit: 5000+ 0,0163 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1773629
    1773629RL in Re-Reel

    5+ 0,116 € 25+ 0,113 € 100+ 0,0382 € 250+ 0,0371 € 500+ 0,036 € 1000+ 0,018 € 5000+ 0,0163 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    PNP - - - - - 300mW SOT-23 3Pin(s) 150°C - -
    PHT4NQ10T,135
    PHT4NQ10T,135 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

    1758091RL

    NEXPERIA - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 1.75A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    NEXPERIA 

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

    + Lageraufstockung

    195 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    35.555 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 28.000 versandfertig ab 24.05.19
  • 8.000 versandfertig ab 24.08.19
  • Wieder verfügbar ab 23.12.19

    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
    Wandlerpolarität n-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id 1.75A
    Drain-Source-Spannung Vds 100V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.2ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs 10V
    Schwellenspannung Vgs 3V
    Verlustleistung Pd 6.9W
    Bauform - Transistor SOT-223
    Anzahl der Pins 4Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    35.750

    10+ 0,332 € Preiseinheit: 25+ 0,268 € Preiseinheit: 100+ 0,237 € Preiseinheit: 250+ 0,227 € Preiseinheit: 500+ 0,218 € Preiseinheit: 1000+ 0,195 € Preiseinheit: 5000+ 0,171 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Re-Reel
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1758091RL
    1758091 in Gurtabschnitte
    Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

    5+ 0,332 € 25+ 0,268 € 100+ 0,237 € 250+ 0,227 € 500+ 0,218 € 1000+ 0,195 € 5000+ 0,171 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 10 Mult: 5
    n-Kanal 1.75A 100V 0.2ohm 10V 3V 6.9W SOT-223 4Pin(s) 150°C - -
    BZV55-C8V2,115
    BZV55-C8V2,115 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    1097207

    NEXPERIA - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    Verlustleistung Pd 500mW
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    NEXPERIA 

    Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 Pin(s), 200 °C

    + Lageraufstockung

    3.635 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    10.786 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    Wieder verfügbar ab 29.07.19

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität -
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 500mW
    Bauform - Transistor -
    Anzahl der Pins 2Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 200°C
    Produktpalette BZV55 Series
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    14.421

    5+ 0,175 € Preiseinheit: 50+ 0,151 € Preiseinheit: 100+ 0,0478 € Preiseinheit: 500+ 0,0447 € Preiseinheit: 1000+ 0,0343 € Preiseinheit:

    Menge

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:1097207
    1097207RL in Re-Reel
    2336769 in Reel

    5+ 0,175 € 50+ 0,151 € 100+ 0,0478 € 500+ 0,0447 € 1000+ 0,0343 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    - - - - - - 500mW - 2Pin(s) 200°C BZV55 Series -
    MJE15034G
    MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    2101379

    ON SEMICONDUCTOR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    Wandlerpolarität NPN
    Verlustleistung Pd 50W
    Bauform - Transistor TO-220AB

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 30 MHz, 50 W, 4 A, 100 hFE

    + Lageraufstockung

    190 versandfertig (Liege stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

    899 versandfertig (UK stock): 19:00 Uhr, mit
    Re-Reeling-Service 17:30 Uhr

  • 400 versandfertig ab 20.07.19
  • 400 versandfertig ab 18.09.19
  • Wieder verfügbar ab 14.10.19

    Wandlerpolarität NPN
    Dauer-Drainstrom Id -
    Drain-Source-Spannung Vds -
    Betriebswiderstand, Rds(on) -
    Rds(on)-Messspannung Vgs -
    Schwellenspannung Vgs -
    Verlustleistung Pd 50W
    Bauform - Transistor TO-220AB
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    1.089

    5+ 1,10 € Preiseinheit: 25+ 0,998 € Preiseinheit: 100+ 0,764 € Preiseinheit: 250+ 0,72 € Preiseinheit: 500+ 0,676 € Preiseinheit: 1000+ 0,533 € Preiseinheit: 5000+ 0,522 € Preiseinheit: Weitere Preise …

    Menge

    Stück

    5+ 1,10 € 25+ 0,998 € 100+ 0,764 € 250+ 0,72 € 500+ 0,676 € 1000+ 0,533 € 5000+ 0,522 € Weitere Preise …

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 50W TO-220AB 3Pin(s) 150°C - -
    FDD4141
    FDD4141 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -40 V, 0.0101 ohm, -10 V, -1.8 V

    2101406

    ON SEMICONDUCTOR - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -40 V, 0.0101 ohm, -10 V, -1.8 V

    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -50A
    Drain-Source-Spannung Vds -40V

    + Alle Produktinformationen anzeigen

    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -40 V, 0.0101 ohm, -10 V, -1.8 V

    Data Sheet
    RoHS
    Gurtabschnitte
    Wandlerpolarität p-Kanal
    Dauer-Drainstrom Id -50A
    Drain-Source-Spannung Vds -40V
    Betriebswiderstand, Rds(on) 0.0101ohm
    Rds(on)-Messspannung Vgs -10V
    Schwellenspannung Vgs -1.8V
    Verlustleistung Pd 69W
    Bauform - Transistor TO-252
    Anzahl der Pins 3Pin(s)
    Betriebstemperatur, max. 150°C
    Produktpalette -
    Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie -

    Nicht verfügbar

    5+ 0,793 € Preiseinheit: 50+ 0,709 € Preiseinheit: 100+ 0,545 € Preiseinheit: 500+ 0,482 € Preiseinheit: 1000+ 0,38 € Preiseinheit:

    Menge
    Weitere Artikel von Avnet

    Stück (Gurtabschnitt)

    Gurtabschnitte
    Verpackungsoptionen
    Empfohlener Ersatz für:2101406
    2101406RL in Re-Reel
    2323169 in Reel

    5+ 0,793 € 50+ 0,709 € 100+ 0,545 € 500+ 0,482 € 1000+ 0,38 €

    Eingeschränkter Artikel
    Hinzufügen
    Min: 5 Mult: 5
    p-Kanal -50A -40V 0.0101ohm -10V -1.8V 69W TO-252 3Pin(s) 150°C - -

    Kunden kauften auch

    Kunden kauften auch

    Kunden kauften auch