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SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

2400360

VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

MOSFET, P-KANAL, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-7.6A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.024ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-; Verlustleistung Pd:2.5W; Bauform -

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    SI2302DDS-T1-GE3
    SI2302DDS-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    2400359

    VISHAY - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    MOSFET, N-KANAL, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:2.6A; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.045ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:-; Verlustleistung Pd:710mW; Bauform - Tra

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    5+ 0,364 € 25+ 0,315 € 100+ 0,216 € 250+ 0,195 € 500+ 0,173 € 1000+ 0,12 € 5000+ 0,118 € Weitere Preise …

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    SI1317DL-T1-GE3
    SI1317DL-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    2056676

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    MOSFET, P-KANAL, DIODE, 20V, 1.4A SOT323; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-1.4A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.125ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:450mV; Verlustleistung Pd:500mW; Ba

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    5+ 0,334 € 25+ 0,306 € 100+ 0,198 € 250+ 0,179 € 500+ 0,159 € 1000+ 0,137 € 5000+ 0,115 € Weitere Preise …

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    SI7149ADP-T1-GE3
    SI7149ADP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    2646390

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    MOSFET, P-KANAL, -30V, -50A, POWERPAK SO; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-50A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-2.5V; Verlustleistung Pd:48W; Baufo

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    SI2323DDS-T1-GE3
    SI2323DDS-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    2646365

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET, P-KANAL, -20V, -5.3A, SOT-23; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-5.3A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.032ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-1V; Verlustleistung Pd:1.7W; Bauform -

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    SI4288DY-T1-GE3
    SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    2056718

    VISHAY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    MOSFET, NN-KANAL, DIODE, 40V, 9.2A, SO8; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:9.2A; Drain-Source-Spannung Vds:40V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:3.1W;

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    SI5403DC-T1-GE3
    SI5403DC-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    2646386

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET, P-KANAL, -30V, 6A, CHIFFET; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:6A; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.025ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-10V; Schwellenspannung Vgs:-3V; Verlustleistung Pd:6.3W; Bauform - Trans

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    SI4403CDY-T1-GE3
    SI4403CDY-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2056683

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P-KANAL, DIODE, 20V, 13.4A, SO8; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-13.4A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0125ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-400mV; Verlustleistung Pd:5W; Bau

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    SI4936CDY-T1-GE3
    SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1779274

    VISHAY - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, NN-KANAL, 30V, 5.8A, SO8; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:5.8A; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.033ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3V; Verlustleistung Pd:2.3W; Bauform -

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    SIA437DJ-T1-GE3
    SIA437DJ-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2364068

    VISHAY - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET P-KANAL 20V 29.7A POWERPAKSC70-6; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-29.7A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.012ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-400mV; Verlustleistung Pd:19W; Bau

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    5+ 0,542 € 25+ 0,502 € 100+ 0,365 € 250+ 0,333 € 500+ 0,301 € 1000+ 0,251 € 5000+ 0,246 € Weitere Preise …

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