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VISHAY  SIS412DN-T1-GE3  MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V

VISHAY SIS412DN-T1-GE3
Technical Data Sheet (531.93KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
12A
Drain-Source-Spannung Vds:
30V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.02ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
1V
Verlustleistung Pd:
15.6W
Bauform:
PowerPAK 1212
Anzahl der Pins:
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
To Be Advised

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Anwendungen

  • Power-Management;
  • Unterhaltungselektronik;
  • Computer & Computerperipheriegeräte

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.001

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