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SIS412DN-T1-GE3 - 

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V

VISHAY SIS412DN-T1-GE3

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Hersteller:
VISHAY VISHAY
Herstellerteilenummer:
SIS412DN-T1-GE3
Bestellnummer:
1779238
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested

Anwendungen

Power-Management, Unterhaltungselektronik, Computer & Computerperipheriegeräte

Produktspezifikationen

:
n-Kanal
:
12A
:
30V
:
0.02ohm
:
10V
:
1V
:
15.6W
:
PowerPAK 1212
:
8Pin(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - unbegrenzt
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