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VISHAY  BYG10M-E3/TR  Standard-Leistungsdiode, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A

VISHAY BYG10M-E3/TR
Technical Data Sheet (76.74KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The BYG10M-E3/TR is a standard Avalanche Sinterglass Diode suitable for use in surface mounting and general purpose rectifier applications.
  • Glass-passivated junction
  • High surge current capability
  • Wave and reflow solderable
  • Low reverse current

Produktspezifikationen

Periodische Sperrspannung Vrrm, max.:
1kV
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV):
1.5A
Diodenkonfiguration:
Einfach
Durchlassspannung Vf max.:
1.15V
Sperrerholzeit Trr, max.:
4µs
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.:
30A
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Bauform:
DO-214AC
Anzahl der Pins:
2 Pins
Verpackung:
Gurtabschnitt
Produktpalette:
BYG10 Series
SVHC:
To Be Advised

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Anwendungen

  • Industrie

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85411000
Gewicht (kg):
.000064

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