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VISHAY  SQM85N15-19-GE3  MOSFET-Transistor, n-Kanal, 85 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SQM85N15-19-GE3
Technical Data Sheet (155.48KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
85A
Drain-Source-Spannung Vds:
150V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.016ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
3V
Verlustleistung Pd:
375W
Bauform:
TO-263
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
175°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Taiwan

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00143

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