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VISHAY  SIRA10DP-T1-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK SO-8

VISHAY SIRA10DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (391.36KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
N Channel
Dauer-Drainstrom Id:
30A
Drain-Source-Spannung Vds:
30V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.0028ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
1.1V
Verlustleistung Pd:
40W
Bauform:
PowerPAK SO
Anzahl der Pins:
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - Unlimited
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Produktnachverfolgung
RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.000225

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