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LMC555CN - 

IC, Timer, Oszillator & Impulsgenerator, astabil, monostabil, TTL, 3MHz, 1.5V bis 15V, DIP-8

TEXAS INSTRUMENTS LMC555CN

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
LMC555CN
Bestellnummer:
9488243
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
8Pin(s)
:
1.5V
:
-40°C
:
15V
:
DIP
:
3MHz
:
85°C
:
-
:
Stückweise
:
MSL 1 - unbegrenzt
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Produktbeschreibung

LMC555CN ist ein energiesparender 555-CMOS-Timer in 8-poliger DIP-Bauform. Dieser Timer wird zur Erzeugung präziser Zeitverzögerungen und als Oszillator verwendet. Dieser Baustein ist eine CMOS-Ausführung der universellen 555-Timer gemäß Industriestandard. Der Timer der Baureihe LMC555CN kann genauso wie der Timer LM555 genaue Zeitverzögerungen und Frequenzen erzeugen, zeichnet sich dabei aber durch eine geringere Verlustleistung und weniger Versorgungsstromspitzen aus. Beim Betrieb im One-Shot-Modus werden die Zeitverzögerungen durch einen einzelnen externen Widerstand und Kondensator präzise gesteuert. Im stabilen Modus erfolgt die genaue Einstellung der Schwingungsfrequenz und des Tastverhältnisses über zwei externe Widerstände und einen Kondensator. Die Verwendung des LMCMOS-Prozesses von Texas Instrument trägt sowohl zur Vergrößerung des Frequenzbereichs als auch zu einem niedrigeren Strombedarf bei.
  • Leistungsverlust, typ.: unter 1mW bei 5V Versorgungsspannung
  • Frequenz, max.: 3MHz
  • Versorgungsspannung: 1.5V bis 15V
  • Output fully compatible with TTL and CMOS logic at 5V supply
  • Getestet mit Ausgangsströmen von 10mA und 50mA
  • Reduced supply current spikes during output transitions
  • Äußerst niedrige Reset-, Trigger- und Schwellenströme
  • Hervorragende Temperaturstabilität
  • Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C

Anwendungen

Takt & Timing

Hinweise

Nur bedingt ESD-sicher! Baustein muss bei Lagerung oder Handhabung kurzgeschlossen sein oder sich in leitfähigem Schaumstoff befinden, um Schäden an den MOS-Gates durch elektrostatische Entladung zu verhindern.

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