Low

DRV5013ADQDBZR - 

Hall-Effekt-Sensor, Signalspeicher, 30 mA, SOT-23, 3 Pin(s), 2.5 V, 38 V

TEXAS INSTRUMENTS DRV5013ADQDBZR

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
DRV5013ADQDBZR
Bestellnummer:
2420923
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
3Pin(s)
:
2.5V
:
-40°C
:
38V
:
125°C
:
Signalspeicher
:
-
:
30mA
:
Gurtabschnitt
:
-
:
SOT-23
:
MSL 1 - unbegrenzt
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Produktbeschreibung

The DRV5013ADQDBZR is a chopper-stabilized Hall Effect Sensor that offers a magnetic sensing solution with superior sensitivity stability over-temperature and integrated protection features. The magnetic field is indicated via a digital bipolar latch output. The IC has an open-drain output stage with 30mA current sink capability. Reverse polarity protection up to -22V. Internal protection functions are provided for reverse supply conditions, load dump and output short circuit or over current.
  • Superior temperature stability - BOP ±10% Over-temperature
  • 2.7/-2.7mT Sensitivity
  • No external regulator required
  • Fast 35µs power-ON time
  • Supports up to 40V load dump
  • Output short-circuit protection
  • Output current limitation

Anwendungen

Sensortechnik, Motorantrieb & -steuerung, Messtechnik, Industrie

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