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STMICROELECTRONICS  2N6036  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

STMICROELECTRONICS 2N6036
Technical Data Sheet (381.28KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
80V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
40W
DC-Kollektorstrom:
4A
DC-Stromverstärkung hFE:
750hFE
Bauform:
SOT-32
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Italy

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.002

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