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SEMELAB  BUZ906  MOSFET-Transistor, p-Kanal, 8 A, -200 V, 1.5 ohm, -1.5 V

SEMELAB BUZ906
Technical Data Sheet (83.12KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The BUZ906 is a -200V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET with high speed switching and integral protection diode designed for use in audio applications.
  • High energy rating
  • 60ns Turn-off time
  • 120ns Turn-on time

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
8A
Drain-Source-Spannung Vds:
-200V
Betriebswiderstand, Rds(on):
1.5ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
-
Schwellenspannung Vgs:
-1.5V
Verlustleistung Pd:
125W
Bauform:
TO-3
Anzahl der Pins:
2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Audio

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Great Britain

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.0115

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