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SEMELAB  BUZ901  MOSFET-Transistor, n-Kanal, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V

SEMELAB BUZ901
Technical Data Sheet (39.70KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The BUZ901 is a 200V N-channel Power MOSFET for audio applications. It features integral protection diode and enhancement mode.
  • High speed switching
  • Semefab designed and diffused
  • High voltage
  • High energy rating
  • ±14V Gate to source voltage
  • 8A Body drain diode current
  • 1°C/W Thermal resistance, junction to case

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
8A
Drain-Source-Spannung Vds:
200V
Betriebswiderstand, Rds(on):
1.5ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
-
Schwellenspannung Vgs:
1.5V
Verlustleistung Pd:
125W
Bauform:
TO-3
Anzahl der Pins:
2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Anwendungen

  • Audio

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Great Britain

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.0115

Alternativen

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V

SEMELAB

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