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Panasonic MOSFETs

Die branchenführenden kompakten MOSFETs von Panasonic mit niedrigem Einschaltwiderstand und geringem Drain-Source-Widerstand.

  • Branchenführende Leistung
  • Verbesserter Einschaltwiderstand
  • Kompakte Pakete
Panasonic MOSFETs

Produktbeschreibung

Die MOSFETs von Panasonic sind durch die fortschrittliche 110-nm-Prozesstechnologie optimiert und bieten im Vergleich zur aktuellen Generation einen um 36 % geringeren Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit (RDS(on) x Fläche) und einen um 50 % höheren Effizienzleistungsindex (RDS(on) x Qg).

Nutzen Sie diese branchenführende Leistung für Ihre AC/DC-Netzgeräte, verbessern Sie die Effizienz in großen Strombereichen und reduzieren Sie den Energiebedarf Ihrer Anwendungen.

RoHS-konform und halogenfrei

 

Verbesserter Einschaltwiderstand

Um 36 % geringerer Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit.

Branchenführend

Die kleinen, durch die fortschrittliche 110-nm-Prozesstechnologie optimierten MOSFETs setzen neue Maßstäbe in der Branche.

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2284062

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET, N/P-KANAL, 30V, SSMINI6-F3-B; Wandlerpolarität:n- und p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:125mW; Bauform:SO

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2284060

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

MOSFET, N-KANAL, 2FACH, 60V SSMINI6-FE-B; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:125mW; Ba

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2284063

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET-Transistor, p-Kanal, -100 mA, -30 V, 4 ohm, -4 V, -1 V

MOSFET, P-KANAL, 30V, SSSMINI3-F2-B; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-100mA; Drain-Source-Spannung Vds:-30V; Betriebswiderstand, Rds(on):4ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4V; Schwellenspannung Vgs:-1V; Verlustleistung Pd:100mW; Bauform:SOT-72

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2284068

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET, N-KANAL, 30V, SMINI3-F2-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SMini3-F2-B;

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2284065

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

MOSFET, N-KANAL, 30V, SSSMINI3-F2-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:100mW; Bauform:SOT-723; A

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MTM232270LBF
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2284077

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 2 A, 20 V, 0.085 ohm, 4 V, 850 mV

MOSFET, N-KANAL, 20V, SMINI3-G1-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:2A; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.085ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:850mV; Verlustleistung Pd:500mW; Bauform:SOT-323;

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    2284069

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, SMINI3-F2-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:SMini3-F2-

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    FK6K02010L
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    2284071

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 850 mV

    MOSFET, N-KANAL, 20V, WSMINI6-F1-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:4.5A; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.013ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4.5V; Schwellenspannung Vgs:850mV; Verlustleistung Pd:700mW; Bauform:WSM

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    FC6546010R
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    2284058

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, SMINI6-F3-B; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:150mW; Bauform:S

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    FC6943010R
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    2284059

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 2FACH, 30V SSMINI6-F3-B; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:30V; Betriebswiderstand, Rds(on):2ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:125mW; Bauf

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    FC8V33030L
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    2284061

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 2FACH, 33V, WMINI8-F1; Wandlerpolarität:Zweifach n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:6.5A; Drain-Source-Spannung Vds:33V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.015ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:1W; Baufo

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    FJ6K01010L
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    2284064

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

    MOSFET, P-KANAL, 12V, WSMINI6-F1-B; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-4A; Drain-Source-Spannung Vds:-12V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.026ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-650mV; Verlustleistung Pd:700mW; Bauform:W

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    FK3306010L
    FK3306010L

    2284067

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, SSSMINI3-F2-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:100mW; Bauform:SOT-723;

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    FK3906010L
    FK3906010L

    2284070

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, SSMINI3-F3-B0; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:100mA; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):6ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:1.2V; Verlustleistung Pd:125mW; Bauform:SOT-490;

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    FK8V03020L
    FK8V03020L

    2284072

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 14 A, 33 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 33V, WMINI8-F1; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:14A; Drain-Source-Spannung Vds:33V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0036ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:1W; Bauform:WMini8-F1; An

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    FK8V03030L
    FK8V03030L

    2284073

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 12 A, 33 V, 0.005 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 33V, WMINI8-F1; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Drain-Source-Spannung Vds:33V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.005ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:1W; Bauform:WMini8-F1; Anz

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    FK8V03060L
    FK8V03060L

    2284074

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 6.5 A, 33 V, 0.015 ohm, 10 V, 1 V

    MOSFET, N-KANAL, 33V, WMINI8-F1; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:6.5A; Drain-Source-Spannung Vds:33V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.015ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:1V; Verlustleistung Pd:1W; Bauform:WMini8-F1; An

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    FL6L52010L
    FL6L52010L

    2284075

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -2 A, -20 V, 0.08 ohm, -4 V, -750 mV

    MOSFET, P-KANAL, SBD, 20V, WSSMINI6-F1; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-2A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.08ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4V; Schwellenspannung Vgs:-750mV; Verlustleistung Pd:540mW; Bauform:

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    MTM232230LBF
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    2284076

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 4.5 A, 20 V, 0.02 ohm, 4 V, 850 mV

    MOSFET, N-KANAL, 20V, SMINI3-G1-B; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:4.5A; Drain-Source-Spannung Vds:20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.02ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:4V; Schwellenspannung Vgs:850mV; Verlustleistung Pd:100mW; Bauform:SOT-323

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    MTM761110LBF
    MTM761110LBF

    2284079

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -4 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -650 mV

    MOSFET, P-KANAL, 12V, WSMINI6-F1-B; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-4A; Drain-Source-Spannung Vds:-12V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.026ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4.5V; Schwellenspannung Vgs:-650mV; Verlustleistung Pd:700mW; Bauform:W

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    MTM761230LBF
    MTM761230LBF

    2284081

    PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

    MOSFET-Transistor, p-Kanal, -3 A, -20 V, 0.036 ohm, -4 V, -850 mV

    MOSFET, P-KANAL, 20V, WSMINI6-F1-B; Wandlerpolarität:p-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:-3A; Drain-Source-Spannung Vds:-20V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.036ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:-4V; Schwellenspannung Vgs:-850mV; Verlustleistung Pd:700mW; Bauform:WSM

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