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ON SEMICONDUCTOR  MMBTA05LT1G  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBTA05LT1G
Technical Data Sheet (109.04KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The MMBTA05LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
60V
Übergangsfrequenz ft:
100MHz
Verlustleistung Pd:
225mW
DC-Kollektorstrom:
500mA
DC-Stromverstärkung hFE:
100hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
MMBTxxxx Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management;
  • Fahrzeugelektronik

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000033

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