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ON SEMICONDUCTOR  MMBT589LT1G  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBT589LT1G
Technical Data Sheet (148.39KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The MMBT589LT1G is a 1A PNP high current Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
-30V
Übergangsfrequenz ft:
100MHz
Verlustleistung Pd:
310mW
DC-Kollektorstrom:
-1A
DC-Stromverstärkung hFE:
40hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
AEC-Q101
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Industrie;
  • Power-Management;
  • Fahrzeugelektronik

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
United States

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.001

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