Low

MMBT589LT1G - 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBT589LT1G

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
MMBT589LT1G
Bestellnummer:
2464091
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktspezifikationen

:
3Pin(s)
:
SOT-23
:
310mW
:
150°C
:
-1A
:
-
:
PNP
:
-30V
:
40hFE
:
100MHz
:
AEC-Q101
:
MSL 1 - unbegrenzt
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Produktbeschreibung

The MMBT589LT1G is a 1A PNP high current Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Anwendungen

Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik