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NXP  PBSS8110Y  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 290 mW, 1 A, 150 hFE

NXP PBSS8110Y
Technical Data Sheet (177.40KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
100V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
290mW
DC-Kollektorstrom:
1A
DC-Stromverstärkung hFE:
150hFE
Bauform:
SOT-363
Anzahl der Pins:
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
Hong Kong

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.000011

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