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NXP  PBRN123ET  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 250 mW, 600 mA, 70 hFE

NXP PBRN123ET
Technical Data Sheet (152.63KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
40V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
250mW
DC-Kollektorstrom:
600mA
DC-Stromverstärkung hFE:
70hFE
Bauform:
SOT-23
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
China

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00001

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