Low

NTE ELECTRONICS  NTE159  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -80 V, 625 mW, -800 mA, 50 hFE

NTE ELECTRONICS NTE159
Technical Data Sheet (47.71KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The NTE159 is a -80V Silicon PNP Transistor used as audio amplifier and switch.
  • Collector-base voltage (Vcbo = 80V)
  • Emitter-base voltage (Vebo = 5V)

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
-80V
Übergangsfrequenz ft:
-
Verlustleistung Pd:
625mW
DC-Kollektorstrom:
-800mA
DC-Stromverstärkung hFE:
50hFE
Bauform:
TO-92
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
SVHC:
To Be Advised

Finden Sie ähnliche Produkte  sortiert nach gemeinsamen Eigenschaften.

Anwendungen

  • Audio

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
MSL 1 - unbegrenzt
Herkunftsland:
United States

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.002

Produktvergleich

TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO-92-3

NTE ELECTRONICS

205:  Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 0,19 €

Kaufen

Ähnliche Produkte

Sie können ganz einfach nach Produkten mit gleicher oder ähnlicher Funktionalität suchen. Wählen Sie einen der folgenden Links hier unterhalb aus. Sie gelangen dann auf eine Seite für Produktgruppen, auf der alle Produkte in dieser Kategorie aufgeführt werden, die über diese bestimmte Eigenschaft verfügen.