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NTE ELECTRONICS  NTE128  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 300 hFE

NTE ELECTRONICS NTE128
Technical Data Sheet (27.80KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
80V
Übergangsfrequenz ft:
400MHz
Verlustleistung Pd:
800mW
DC-Kollektorstrom:
1A
DC-Stromverstärkung hFE:
300hFE
Bauform:
TO-39
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
200°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
MSL:
-
SVHC:
To Be Advised

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
United States

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.00091

Alternativen

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 50 hFE

MULTICOMP

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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mW, 700 mA, 50 hFE

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