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2N1711 - 

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE

2N1711 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
2N1711
Bestellnummer:
1611558
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

2N1711 ist ein NPN-Silizium-Transistor für Verstärkungs- und Schaltanwendungen, der eine hohe Durchbruchspannung, einen niedrigen Leckstrom, eine niedrige Kapazität und einen über einen extrem großen Strombereich nützlichen Beta-Wert auf.
  • Kollektor-Basis-Spannung: 75V
  • Emitter-Basis-Spannung: 7V
  • Dauer-Kollektorstrom: 0.5A

Anwendungen

Audio, Signalverarbeitung

Produktspezifikationen

:
NPN
:
50V
:
70MHz
:
3W
:
500mA
:
35hFE
:
TO-39
:
3Pin(s)
:
200°C
:
-
:
-
:
-
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