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MULTICOMP  2N1711  Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE

MULTICOMP 2N1711
Technical Data Sheet (197.72KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The 2N1711 is a NPN silicon Transistor for amplifier and switching applications. This device features high breakdown voltage, low leakage current, low capacity and beta useful over an extremely wide current range.
  • 75V Collector-Base Voltage
  • 7V Emitter-Base Voltage
  • 0.5A Continuous Collector Current

 

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
50V
Übergangsfrequenz ft:
70MHz
Verlustleistung Pd:
3W
DC-Kollektorstrom:
500mA
DC-Stromverstärkung hFE:
35hFE
Bauform:
TO-39
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
200°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
To Be Advised

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Anwendungen

  • Audio;
  • Signalverarbeitung

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
India

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412100
Gewicht (kg):
.001134

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