2014/09/02
 
 
  
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Hochspannungsleistungs-MOSFETs der Baureihe E von Vishay

N-Kanal Leistungs-MOSFETs der Baureihe E mit 600 V und 650 V sowie Super-Anschlusstechnik ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 % sowie eine Optimierung der Prozesse.

  • Geringer On-Widerstand, geringe Eingangskapazität und geringer Leistungswert
  • Hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzierte kapazitive Schaltverluste
  • Äußerst niedrige Gateladung
  • Optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit
  • Einfacher Gate-Drive-Schaltkreis
Hochspannungsleistungs-MOSFETs der Baureihe E

Produktbeschreibung

N-Kanal Leistungs-MOSFETs der Baureihe E mit 600 V und 650 V sowie Super-Anschlusstechnik ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 % sowie eine Optimierung der Prozesse. Sie verfügen über einen geringen On-Widerstand, eine geringe Eingangskapazität, reduzierte kapazitive Schaltverluste, eine äußerst niedrige Gateladung sowie eine optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit.
Zu den weiteren Funktionen gehören ein einfacher Gate-Drive-Schaltkreis, ein geringer Leistungswert sowie hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Zu den Anwendungsbereichen zählen Netzteile für Server- und Telekommunikationsgeräte, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrektur-Netzteile (PFC), Lampen, Hochdruckentladung (HID), Leuchtstofflampen, Industrieanwendungen, Schweißanwendungen, Induktionserwärmung, Motorantriebe, Batterieladegeräte sowie erneuerbare und solare Energien (PV-Wechselrichter).

Geringer Widerstand

Leistungs-MOSFETs der Baureihe E ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 %.

Reduzierte Verluste

Das Produkt verfügt über eine geringe Eingangskapazität, reduzierte kapazitive Schaltverluste, eine äußerst niedrige Gateladung sowie eine optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit.

Typische Anwendungen

Netzteile für Server- und Telekommunikationsgeräte, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrektur-Netzteile (PFC), Lampen, Hochdruckentladung (HID), Leuchtstofflampen, Industrieanwendungen, Schweißanwendungen, Induktionserwärmung, Motorantriebe, Batterieladegeräte sowie erneuerbare und solare Energien (PV-Wechselrichter).

Produktserien

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2364088

VISHAY SILICONIX
SIHP33N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 33A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364087

VISHAY SILICONIX
SIHP30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 29A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364085

VISHAY SILICONIX
SIHP24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364084

VISHAY SILICONIX
SIHP22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364083

VISHAY SILICONIX
SIHG47N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 47A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:47A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.053ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364082

VISHAY SILICONIX
SIHG30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 29A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364081

VISHAY SILICONIX
SIHG24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364080

VISHAY SILICONIX
SIHG22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 21A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364079

VISHAY SILICONIX
SIHF30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 21A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364078

VISHAY SILICONIX
SIHF22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (173.98KB) EN
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2364077

VISHAY SILICONIX
SIHF15N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 15A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (139.56KB) EN
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2364076

VISHAY SILICONIX
SIHF12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.32ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364072

VISHAY SILICONIX
SIHB33N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 33A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (209.59KB) EN
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2364071

VISHAY SILICONIX
SIHB12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-263

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.404ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (202.38KB) EN
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250+
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2291552

VISHAY SILICONIX
SIHB15N60E-GE3

MOSFET,N-KANAL,600V,15A,DPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2291550

VISHAY SILICONIX
SIHG33N60E-GE3

MOSFET,N-KANAL,600V,33A,TO-247AC

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (186.47KB) EN
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2283642

VISHAY SILICONIX
SIHD7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, DPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (188.44KB) EN
Product Range
RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
1998 auf Lager
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1,56 €
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1,27 €
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1,06 €
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2283641

VISHAY SILICONIX
SIHF7N60E-E3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, TO220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283640

VISHAY SILICONIX
SIHP7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283639

VISHAY SILICONIX
SIHU7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, IPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283637

VISHAY SILICONIX
SIHP12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.32ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283635

VISHAY SILICONIX
SIHP15N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 15A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283634

VISHAY SILICONIX
SIHG73N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 73A, TO247AC

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:73A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Widerstand RDS (on):0.032ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283632

VISHAY SILICONIX
SIHB24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Drain-Source-Spannung Vds:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2079779

VISHAY SILICONIX
SIHB30N60E-GE3

MOSFET, N KANAL, 600V, 29A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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RoHS-konform Ja
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2079772

VISHAY SILICONIX
SIHB22N60E-GE3

MOSFET, N KANAL, 600V, 21A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Drain-Source-Spannung Vds:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (193.02KB) EN
Product Range
RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
1362 auf Lager
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1143 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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1143 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
219 EU-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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