2014/07/22
 
 
  
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Hochspannungsleistungs-MOSFETs der Baureihe E von Vishay

N-Kanal Leistungs-MOSFETs der Baureihe E mit 600 V und 650 V sowie Super-Anschlusstechnik ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 % sowie eine Optimierung der Prozesse.

  • Geringer On-Widerstand, geringe Eingangskapazität und geringer Leistungswert
  • Hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzierte kapazitive Schaltverluste
  • Äußerst niedrige Gateladung
  • Optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit
  • Einfacher Gate-Drive-Schaltkreis
Hochspannungsleistungs-MOSFETs der Baureihe E

Produktbeschreibung

N-Kanal Leistungs-MOSFETs der Baureihe E mit 600 V und 650 V sowie Super-Anschlusstechnik ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 % sowie eine Optimierung der Prozesse. Sie verfügen über einen geringen On-Widerstand, eine geringe Eingangskapazität, reduzierte kapazitive Schaltverluste, eine äußerst niedrige Gateladung sowie eine optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit.
Zu den weiteren Funktionen gehören ein einfacher Gate-Drive-Schaltkreis, ein geringer Leistungswert sowie hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Zu den Anwendungsbereichen zählen Netzteile für Server- und Telekommunikationsgeräte, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrektur-Netzteile (PFC), Lampen, Hochdruckentladung (HID), Leuchtstofflampen, Industrieanwendungen, Schweißanwendungen, Induktionserwärmung, Motorantriebe, Batterieladegeräte sowie erneuerbare und solare Energien (PV-Wechselrichter).

Geringer Widerstand

Leistungs-MOSFETs der Baureihe E ermöglichen im Vergleich zur Baureihe S eine Reduzierung des spezifischen On-Widerstands um 30 %.

Reduzierte Verluste

Das Produkt verfügt über eine geringe Eingangskapazität, reduzierte kapazitive Schaltverluste, eine äußerst niedrige Gateladung sowie eine optimale Effizienz und Betriebsfähigkeit.

Typische Anwendungen

Netzteile für Server- und Telekommunikationsgeräte, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrektur-Netzteile (PFC), Lampen, Hochdruckentladung (HID), Leuchtstofflampen, Industrieanwendungen, Schweißanwendungen, Induktionserwärmung, Motorantriebe, Batterieladegeräte sowie erneuerbare und solare Energien (PV-Wechselrichter).

Produktserien

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2364088

VISHAY SILICONIX
SIHP33N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 33A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364087

VISHAY SILICONIX
SIHP30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 29A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364085

VISHAY SILICONIX
SIHP24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Spannung, Uds(V) max.:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364084

VISHAY SILICONIX
SIHP22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-220

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364083

VISHAY SILICONIX
SIHG47N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 47A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:47A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.053ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364082

VISHAY SILICONIX
SIHG30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 29A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364081

VISHAY SILICONIX
SIHG24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Spannung, Uds(V) max.:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364080

VISHAY SILICONIX
SIHG22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 21A, TO-247

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364079

VISHAY SILICONIX
SIHF30N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 21A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364078

VISHAY SILICONIX
SIHF22N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364077

VISHAY SILICONIX
SIHF15N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 15A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364076

VISHAY SILICONIX
SIHF12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.32ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364072

VISHAY SILICONIX
SIHB33N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 33A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2364071

VISHAY SILICONIX
SIHB12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO-263

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.32ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (202.38KB) EN
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2291552

VISHAY SILICONIX
SIHB15N60E-GE3

MOSFET,N-KANAL,600V,15A,DPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2291550

VISHAY SILICONIX
SIHG33N60E-GE3

MOSFET,N-KANAL,600V,33A,TO-247AC

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:33A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.083ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (186.47KB) EN
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RoHS-konform Ja
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2283642

VISHAY SILICONIX
SIHD7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, DPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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2283641

VISHAY SILICONIX
SIHF7N60E-E3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, TO220FP

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

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RoHS-konform Ja
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1,54 €
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2283640

VISHAY SILICONIX
SIHP7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (206.90KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
988 auf Lager
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888 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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2283639

VISHAY SILICONIX
SIHU7N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 7A, IPAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:7A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.5ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (169.41KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
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2283637

VISHAY SILICONIX
SIHP12N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 12A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:12A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.32ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (210.01KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
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2283635

VISHAY SILICONIX
SIHP15N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 600V, 15A, TO220AB

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:15A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.23ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (207.10KB) EN
Product Range
RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
963 auf Lager
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2283634

VISHAY SILICONIX
SIHG73N60E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 73A, TO247AC

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:73A; Spannung, Uds(V) max.:650V; Widerstand RDS (on):0.032ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (180.55KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
194 auf Lager
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2283632

VISHAY SILICONIX
SIHB24N65E-GE3

MOSFET, N-KANAL, 650V, 24A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:24A; Spannung, Uds(V) max.:650V; Widerstand RDS (on):0.12ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (209.77KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
969 auf Lager
Letzter Bestellzeitpunkt
969 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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2,25 €
250+
2,07 €
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969 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (GB-Lagerbestand)
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969 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)


2079779

VISHAY SILICONIX
SIHB30N60E-GE3

MOSFET, N KANAL, 600V, 29A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:29A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.104ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (192.20KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
716 auf Lager
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566 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
150 EU-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
1 Stück
1+
5,00 €
25+
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100+
4,59 €
250+
4,39 €
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566 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (GB-Lagerbestand)
150 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (EU-Lagerbestand)
Letzter Bestellzeitpunkt
566 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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2079772

VISHAY SILICONIX
SIHB22N60E-GE3

MOSFET, N KANAL, 600V, 21A, D2PAK

Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:21A; Spannung, Uds(V) max.:600V; Widerstand RDS (on):0.15ohm; Spannung, Rds-Messung:10V;

Technical Data Sheet (193.02KB) EN
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RoHS-Zertifikat
RoHS-konform Ja
1377 auf Lager
Letzter Bestellzeitpunkt
1153 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
224 EU-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
1 Stück
1+
3,92 €
25+
3,69 €
100+
3,50 €
250+
3,32 €
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1.153 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (GB-Lagerbestand)
224 auf Lager für Auslieferung am nächsten Arbeitstag (EU-Lagerbestand)
Letzter Bestellzeitpunkt
1153 GB-Lager: Bestellung vor 19:30 Uhr (Für Re-Reeling-Artikel 17:30 Uhr) MO - FR (außer gesetzliche Feiertage)
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