Logo

International Rectifier Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ mit 60 V

International Rectifier Corporation (IR®) hat mit der Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ eine Serie mit 60 V auf den Markt gebracht, die sich durch ihren extrem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) auszeichnet.

  • Extrem niedriger RDS(on)
  • Umfassendes Angebot
  • Konzipiert für Industrieanwendungen
  • Typische Schwellenspannung von 3 V für noch bessere Rauschunempfindlichkeit

Produktbeschreibung

Dank ihres extrem niedrigen Durchlasswiderstandes (RDS(on)) eignen sich StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V besonders für den Einsatz in unterschiedlichen industriellen Anwendungsbereichen, wie z. B. Elektrowerkzeugen, Batteriepacks, Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS), Solarwechselrichtern, Gabelstaplern, Elektromobilen oder O-Ring- und Hot-Swap-Anwendungen.

Die Produkte der Reihe bieten Hochstromfähigkeit (einige Pakete die branchenweit höchste) und eine Soft-Body-Diode für verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich. Dank ihrer verbesserten Stabilität können StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V in vielen Anwendungsbereichen planare MOSFETs ersetzen.

International Rectifier Corporation (IR®) gehört zu den weltweiten Marktführern auf dem Gebiet der Energiemanagementtechnologie. Führende Hersteller von Computern, energieeffizienten Geräten, Beleuchtungssystemen, Fahrzeugen, Satelliten, Flugzeugen und Verteidigungssystemen vertrauen bei ihren Produkten der nächsten Generation auf die von IR für das Energiemanagement gesetzten Standards.

Als Inhaber der bedeutendsten Patente für Technologien, die der auf 5 Milliarden US-Dollar geschätzten MOSFET-Branche zugrunde liegen, basiert der Erfolg von IR auf dem soliden Fundament seiner fortlaufenden Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Dadurch baut das Unternehmen seine Spitzenposition in der Energiemanagementbranche mit hochdifferenzierten, für Anwendungsbereiche mit starkem Wachstum konzipierten Technologien weiter aus.

Extrem niedriger RDS(on)

Verringerte Energieverluste gewährleisten höhere Effizienz und Leistungsdichte.

Hochstromfähigkeit

Einige Pakete bieten die branchenweit höchste Hochstromfähigkeit.

Soft-Body-Diode

Verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich.

Produktserien
Produkte vergleichen
  Bestellnummer Hersteller-Teilenr. Hersteller / Beschreibung
Verfüg Preis
Menge
2406514
IRFB7530PBF

IRFB7530PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:

2.617 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 3,87 € 25+ 2,84 € 100+ 2,46 € 250+ 2,21 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 27.02.17
2406522
IRFS7530TRL7PP

IRFS7530TRL7PP

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00115ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO

1.403 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 3,18 € 25+ 2,82 € 100+ 2,44 € 250+ 2,32 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 20.02.17
2406525
IRFS7534TRL7PP

IRFS7534TRL7PP

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0016ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:290W; Bauform:TO-

798 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 2,49 € 25+ 2,24 € 100+ 2,01 € 250+ 1,81 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 20.02.17
2406520
IRFP7530PBF

IRFP7530PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:341W; Bauform:TO

603 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 4,14 € 25+ 3,10 € 100+ 2,76 € 250+ 2,49 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 27.02.17
2406523
IRFS7530PBF

IRFS7530PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO

524 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 3,64 € 25+ 2,73 € 100+ 2,43 € 250+ 2,19 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 19.12.16
2406519
IRFB7546PBF

IRFB7546PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 75A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.006ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:99W; Bauform:TO-22

520 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 0,685 € 25+ 0,567 € 100+ 0,492 € 250+ 0,474 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 13.02.17
2406516
IRFB7537PBF

IRFB7537PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:

498 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 1,56 € 25+ 1,38 € 100+ 1,10 € 250+ 1,03 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 27.02.17
2406518
IRFB7545PBF

IRFB7545PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 95 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 95A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:95A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0049ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:125W; Bauform:TO-

271 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 0,79 € 25+ 0,661 € 100+ 0,656 € 250+ 0,615 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 19.12.16
2406528
IRFS7540TRLPBF

IRFS7540TRLPBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:TO-

211 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 1,46 € 25+ 1,10 € 100+ 0,975 € 250+ 0,875 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 06.03.17
2406521
IRFP7537PBF

IRFP7537PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 172 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 172A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:172A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO

144 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 2,68 € 25+ 2,01 € 100+ 1,79 € 250+ 1,61 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 06.03.17
2406515
IRFB7534PBF

IRFB7534PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO

32 Produkt vorrätig

Preiseinheit Stück

1+ 2,68 € 25+ 2,01 € 100+ 1,79 € 250+ 1,61 € Mehr…

Kaufen

Bestellannahmeschluss

Wieder verfügbar ab 27.02.17
2406517
IRFB7540PBF

IRFB7540PBF

INFINEON

MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:T

Lieferung wird erwartet (Rückstandsbearbeitung nach den angezeigten Vorlaufzeiten möglich)

Preiseinheit Stück

1+ 1,11 € 25+ 0,974 € 100+ 0,75 € 250+ 0,704 € Mehr…

Kaufen
  • 250 versandfertig ab 17.01.2017
  • Wieder verfügbar ab 20.02.17 Bitte benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder verfügbar ist
    2406526
    IRFS7534TRLPBF

    IRFS7534TRLPBF

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO-2

    Ist nicht mehr auf Lager.

    Ist nicht mehr auf Lager.

    2406527
    IRFS7537PBF

    IRFS7537PBF

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO

    Lieferung wird erwartet (Rückstandsbearbeitung nach den angezeigten Vorlaufzeiten möglich)

    Preiseinheit Stück

    1+ 1,93 € 25+ 1,69 € 100+ 1,37 € 250+ 1,28 € Mehr…

    Kaufen
    Wieder verfügbar ab 20.02.17 Bitte benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder verfügbar ist
    Produkte vergleichen