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International Rectifier Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ mit 60 V

International Rectifier Corporation (IR®) hat mit der Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ eine Serie mit 60 V auf den Markt gebracht, die sich durch ihren extrem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) auszeichnet.

  • Extrem niedriger RDS(on)
  • Umfassendes Angebot
  • Konzipiert für Industrieanwendungen
  • Typische Schwellenspannung von 3 V für noch bessere Rauschunempfindlichkeit

Produktbeschreibung

Dank ihres extrem niedrigen Durchlasswiderstandes (RDS(on)) eignen sich StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V besonders für den Einsatz in unterschiedlichen industriellen Anwendungsbereichen, wie z. B. Elektrowerkzeugen, Batteriepacks, Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS), Solarwechselrichtern, Gabelstaplern, Elektromobilen oder O-Ring- und Hot-Swap-Anwendungen.

Die Produkte der Reihe bieten Hochstromfähigkeit (einige Pakete die branchenweit höchste) und eine Soft-Body-Diode für verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich. Dank ihrer verbesserten Stabilität können StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V in vielen Anwendungsbereichen planare MOSFETs ersetzen.

International Rectifier Corporation (IR®) gehört zu den weltweiten Marktführern auf dem Gebiet der Energiemanagementtechnologie. Führende Hersteller von Computern, energieeffizienten Geräten, Beleuchtungssystemen, Fahrzeugen, Satelliten, Flugzeugen und Verteidigungssystemen vertrauen bei ihren Produkten der nächsten Generation auf die von IR für das Energiemanagement gesetzten Standards.

Als Inhaber der bedeutendsten Patente für Technologien, die der auf 5 Milliarden US-Dollar geschätzten MOSFET-Branche zugrunde liegen, basiert der Erfolg von IR auf dem soliden Fundament seiner fortlaufenden Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Dadurch baut das Unternehmen seine Spitzenposition in der Energiemanagementbranche mit hochdifferenzierten, für Anwendungsbereiche mit starkem Wachstum konzipierten Technologien weiter aus.

Extrem niedriger RDS(on)

Verringerte Energieverluste gewährleisten höhere Effizienz und Leistungsdichte.

Hochstromfähigkeit

Einige Pakete bieten die branchenweit höchste Hochstromfähigkeit.

Soft-Body-Diode

Verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich.

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MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:

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    IRFB7546PBF

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 75A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.006ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:99W; Bauform:TO-22

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    IRFS7530TRL7PP

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00115ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO

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    2406528
    IRFS7540TRLPBF

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:TO-

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    2406521
    IRFP7537PBF

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 172 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 172A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:172A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO

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    IRFP7530PBF

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:341W; Bauform:TO

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    IRFB7545PBF

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 95 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 95A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:95A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0049ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:125W; Bauform:TO-

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    IRFB7534PBF

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    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO

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    IRFB7537PBF

    IRFB7537PBF

    INFINEON

    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:

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    IRFS7534TRLPBF

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO-2

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:T

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0016ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:290W; Bauform:TO-

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    MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO

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