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International Rectifier Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ mit 60 V

International Rectifier Corporation (IR®) hat mit der Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ eine Serie mit 60 V auf den Markt gebracht, die sich durch ihren extrem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) auszeichnet.

  • Extrem niedriger RDS(on)
  • Umfassendes Angebot
  • Konzipiert für Industrieanwendungen
  • Typische Schwellenspannung von 3 V für noch bessere Rauschunempfindlichkeit

Produktbeschreibung

Dank ihres extrem niedrigen Durchlasswiderstandes (RDS(on)) eignen sich StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V besonders für den Einsatz in unterschiedlichen industriellen Anwendungsbereichen, wie z. B. Elektrowerkzeugen, Batteriepacks, Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS), Solarwechselrichtern, Gabelstaplern, Elektromobilen oder O-Ring- und Hot-Swap-Anwendungen.

Die Produkte der Reihe bieten Hochstromfähigkeit (einige Pakete die branchenweit höchste) und eine Soft-Body-Diode für verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich. Dank ihrer verbesserten Stabilität können StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V in vielen Anwendungsbereichen planare MOSFETs ersetzen.

International Rectifier Corporation (IR®) gehört zu den weltweiten Marktführern auf dem Gebiet der Energiemanagementtechnologie. Führende Hersteller von Computern, energieeffizienten Geräten, Beleuchtungssystemen, Fahrzeugen, Satelliten, Flugzeugen und Verteidigungssystemen vertrauen bei ihren Produkten der nächsten Generation auf die von IR für das Energiemanagement gesetzten Standards.

Als Inhaber der bedeutendsten Patente für Technologien, die der auf 5 Milliarden US-Dollar geschätzten MOSFET-Branche zugrunde liegen, basiert der Erfolg von IR auf dem soliden Fundament seiner fortlaufenden Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Dadurch baut das Unternehmen seine Spitzenposition in der Energiemanagementbranche mit hochdifferenzierten, für Anwendungsbereiche mit starkem Wachstum konzipierten Technologien weiter aus.

Extrem niedriger RDS(on)

Verringerte Energieverluste gewährleisten höhere Effizienz und Leistungsdichte.

Hochstromfähigkeit

Einige Pakete bieten die branchenweit höchste Hochstromfähigkeit.

Soft-Body-Diode

Verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich.

Produktserien

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  Hersteller-Teilenr. Bestellnummer Hersteller / Beschreibung
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IRFS7530TRL7PP
IRFS7530TRL7PP - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V

2406522

INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V

MOSFET, N-KANAL, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00115ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform -

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    IRFB7530PBF
    IRFB7530PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406514

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform

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    IRFB7546PBF
    IRFB7546PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406519

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 75 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 75A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.006ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:99W; Bauform - Tra

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    IRFS7530PBF
    IRFS7530PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406523

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform -

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    IRFS7534TRLPBF
    IRFS7534TRLPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406526

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform - Tr

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    IRFS7534TRL7PP
    IRFS7534TRL7PP - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406525

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V

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    IRFB7545PBF
    IRFB7545PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 95 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406518

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 95 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 95A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:95A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0049ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:125W; Bauform - T

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    IRFB7540PBF
    IRFB7540PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406517

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform -

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    IRFS7540TRLPBF
    IRFS7540TRLPBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406528

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 110 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform - T

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    IRFP7537PBF
    IRFP7537PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 172 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406521

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 172 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 172A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:172A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform -

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    IRFP7530PBF
    IRFP7530PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406520

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:341W; Bauform -

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    IRFB7534PBF
    IRFB7534PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406515

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 195 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform -

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    IRFB7537PBF
    IRFB7537PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406516

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform

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    IRFS7537PBF
    IRFS7537PBF - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    2406527

    INFINEON - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 173 A, 60 V, 0.00275 ohm, 10 V, 3.7 V

    MOSFET, N-KANAL, 60V, 173A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform -

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