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International Rectifier Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ mit 60 V

International Rectifier Corporation (IR®) hat mit der Leistungs-MOSFET-Baureihe StrongIRFET™ eine Serie mit 60 V auf den Markt gebracht, die sich durch ihren extrem niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) auszeichnet.

  • Extrem niedriger RDS(on)
  • Umfassendes Angebot
  • Konzipiert für Industrieanwendungen
  • Typische Schwellenspannung von 3 V für noch bessere Rauschunempfindlichkeit

Produktbeschreibung

Dank ihres extrem niedrigen Durchlasswiderstandes (RDS(on)) eignen sich StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V besonders für den Einsatz in unterschiedlichen industriellen Anwendungsbereichen, wie z. B. Elektrowerkzeugen, Batteriepacks, Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungsgeräten (UPS), Solarwechselrichtern, Gabelstaplern, Elektromobilen oder O-Ring- und Hot-Swap-Anwendungen.

Die Produkte der Reihe bieten Hochstromfähigkeit (einige Pakete die branchenweit höchste) und eine Soft-Body-Diode für verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich. Dank ihrer verbesserten Stabilität können StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs mit 60 V in vielen Anwendungsbereichen planare MOSFETs ersetzen.

International Rectifier Corporation (IR®) gehört zu den weltweiten Marktführern auf dem Gebiet der Energiemanagementtechnologie. Führende Hersteller von Computern, energieeffizienten Geräten, Beleuchtungssystemen, Fahrzeugen, Satelliten, Flugzeugen und Verteidigungssystemen vertrauen bei ihren Produkten der nächsten Generation auf die von IR für das Energiemanagement gesetzten Standards.

Als Inhaber der bedeutendsten Patente für Technologien, die der auf 5 Milliarden US-Dollar geschätzten MOSFET-Branche zugrunde liegen, basiert der Erfolg von IR auf dem soliden Fundament seiner fortlaufenden Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Dadurch baut das Unternehmen seine Spitzenposition in der Energiemanagementbranche mit hochdifferenzierten, für Anwendungsbereiche mit starkem Wachstum konzipierten Technologien weiter aus.

Extrem niedriger RDS(on)

Verringerte Energieverluste gewährleisten höhere Effizienz und Leistungsdichte.

Hochstromfähigkeit

Einige Pakete bieten die branchenweit höchste Hochstromfähigkeit.

Soft-Body-Diode

Verbesserte Leistung bei Anwendungen im niedrigen Frequenzbereich.

Produktserien
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IRFB7530PBF

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INTERNATIONAL RECTIFIER

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO-

145

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2406515
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INTERNATIONAL RECTIFIER

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO-22

204

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MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO-

222

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MOSFET, N CH, 60V, 110A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 110A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:TO-2

381

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MOSFET, N CH, 60V, 95A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 95A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:95A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0049ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:125W; Bauform:TO-220

353

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MOSFET, N CH, 60V, 75A, TO-220AB-3

MOSFET, N CH, 60V, 75A, TO-220AB-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:75A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.006ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:99W; Bauform:TO-220AB

648

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MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-247-3

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:341W; Bauform:TO-24

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MOSFET, N CH, 60V, 172A, TO-247-3

MOSFET, N CH, 60V, 172A, TO-247-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:172A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO-24

8

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MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-263-3

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00165ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO-26

242

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MOSFET, N CH, 60V, 240A, TO-263-3

MOSFET, N CH, 60V, 240A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00115ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:60V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:375W; Bauform:TO-26

668

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MOSFET, N CH, 60V, 240A, TO-263-7

MOSFET, N CH, 60V, 240A, TO-263-7; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:240A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0016ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:290W; Bauform:TO-263

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MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-263-3

MOSFET, N CH, 60V, 195A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:195A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.002ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:294W; Bauform:TO-263;

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MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-263-3

MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:173A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.00275ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:230W; Bauform:TO-26

8

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MOSFET, N CH, 60V, 110A, TO-263-3

MOSFET, N CH, 60V, 110A, TO-263-3; Wandlerpolarität:n-Kanal; Dauer-Drainstrom Id:110A; Drain-Source-Spannung Vds:60V; Betriebswiderstand, Rds(on):0.0042ohm; Rds(on)-Messspannung Vgs:10V; Schwellenspannung Vgs:3.7V; Verlustleistung Pd:160W; Bauform:TO-263

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