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IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK102N30P  MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P
Technical Data Sheet (225.23KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktspezifikationen

Wandlerpolarität:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
102A
Drain-Source-Spannung Vds:
300V
Betriebswiderstand, Rds(on):
0.033ohm
Rds(on)-Messspannung Vgs:
10V
Schwellenspannung Vgs:
5V
Verlustleistung Pd:
700W
Bauform:
TO-264
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Germany

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.01

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