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INFINEON  IRGB20B60PD1PBF  IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

INFINEON IRGB20B60PD1PBF
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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

INFINEON IRGB20B60PD1PBF
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Produktbeschreibung

The IRGB20B60PD1PBF is a 600V Warp2 IGBT with ultrafast soft recovery diode. Parallel operation for higher current applications and lower conduction losses and switching losses. Suitable for use in telecom and server SMPS, PFC and ZVS SMPS circuits.
  • Higher switching frequency up to 150kHz
  • NPT technology, positive temperature coefficient
  • Lower VCE (SAT)
  • Lower parasitic capacitances
  • Minimal tail current
  • HEXFRED ultra fast soft-recovery co-pack diode
  • Tighter distribution of parameters
  • Higher reliability

Produktspezifikationen

DC-Kollektorstrom:
40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on):
2.35V
Verlustleistung Pd:
215W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
600V
Bauform:
TO-220AB
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Power-Management;
  • Unterhaltungselektronik

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Mexico

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.002041

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