Low

IRGB20B60PD1PBF - 

IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

IRGB20B60PD1PBF - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
IRGB20B60PD1PBF - IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IRGB20B60PD1PBF
Bestellnummer:
8659583
Technisches Datenblatt:
(EN)
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

The IRGB20B60PD1PBF is a 600V Warp2 IGBT with ultrafast soft recovery diode. Parallel operation for higher current applications and lower conduction losses and switching losses. Suitable for use in telecom and server SMPS, PFC and ZVS SMPS circuits.
  • Higher switching frequency up to 150kHz
  • NPT technology, positive temperature coefficient
  • Lower VCE (SAT)
  • Lower parasitic capacitances
  • Minimal tail current
  • HEXFRED ultra fast soft-recovery co-pack diode
  • Tighter distribution of parameters
  • Higher reliability

Anwendungen

Power-Management, Unterhaltungselektronik

Produktspezifikationen

:
40A
:
2.35V
:
215W
:
600V
:
TO-220AB
:
3Pin(s)
:
150°C
:
-
:
-
:
-
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