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INFINEON  IRG4PC40UD-EPBF  IGBT-Einzeltransistor, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)

INFINEON IRG4PC40UD-EPBF
Technical Data Sheet (250.87KB) EN Technische Dokumentation anzeigen

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Produktbeschreibung

The IRG4PC40UD-EPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
  • Optimized for specific application conditions
  • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Produktspezifikationen

DC-Kollektorstrom:
40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on):
2.15V
Verlustleistung Pd:
160W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo:
600V
Bauform:
TO-247AC
Anzahl der Pins:
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.:
150°C
Produktpalette:
IRG4 Series
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Anwendungen

  • Alternative Energien;
  • Power-Management;
  • Wartung & Reparatur

Gesetzgebung und Umweltschutz

Feuchtigkeitsempfindlichkeitslevel:
-
Herkunftsland:
Mexico

Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

RoHS-konform:
Ja
Tarif-Nr.:
85412900
Gewicht (kg):
.00567

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